| 摘要 | 第1-3页 |
| 英文摘要 | 第3-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-20页 |
| ·半导体的发展 | 第10-12页 |
| ·世界半导体的发展 | 第10-11页 |
| ·中国半导体产业发展历史 | 第11-12页 |
| ·动态随机存储器的现状与发展方向 | 第12-13页 |
| ·大容量动态随机存储器发展的关键因素 | 第13-16页 |
| ·动态随机存储器的工作原理 | 第13-15页 |
| ·影响电容大小的关键参数 | 第15-16页 |
| ·增加电容器电极表面积的主要方法及其带来的工艺难题 | 第16-18页 |
| ·采用3D 的方式来增加电容表面积 | 第16-17页 |
| ·粗糙多晶硅来增加电极表面积的 DRAM 电容器技术 | 第17-18页 |
| ·采用深沟壑作为电极表面 | 第18页 |
| ·课题提出 | 第18-20页 |
| 第2章 现行光阻去除方式的介绍及其带来的问题 | 第20-26页 |
| ·相应制程介绍及工艺要求 | 第20-22页 |
| ·产品流程及工艺要求 | 第20-21页 |
| ·微影制程概况 | 第21-22页 |
| ·现行湿法去除光阻的流程 | 第22-24页 |
| ·现行光阻去除方式带来的问题 | 第24-25页 |
| ·现行光阻去除方式不能满足产品需求的原因分析 | 第25页 |
| ·本章小结 | 第25-26页 |
| 第3章 其他制程尝试的结果及失效分析 | 第26-36页 |
| ·通过有机溶剂溶解去除光阻 | 第26-28页 |
| ·工艺介绍及实验设计 | 第26-27页 |
| ·实验结果及分析 | 第27-28页 |
| ·干法光阻去除 | 第28-31页 |
| ·工艺介绍及实验设计 | 第28-30页 |
| ·实验结果及分析 | 第30-31页 |
| ·干湿法结合的光阻去除模式 | 第31-33页 |
| ·工艺介绍及实验设计 | 第31-32页 |
| ·实验结果及分析 | 第32-33页 |
| ·不同光阻去除方式对深沟壑底部光阻去除效果的对比分析 | 第33-35页 |
| ·本章小结 | 第35-36页 |
| 第4章 湿法光阻去除中的关键参数 | 第36-48页 |
| ·实验的设备及基本设置 | 第36-37页 |
| ·湿法光阻去除制程中反应设置的影响 | 第37-40页 |
| ·实验设计与结果分析 | 第37-39页 |
| ·通过反应槽温度及混合液取样的结果确认过氧化硫酸的生成 | 第39-40页 |
| ·湿法光阻去除制程中温度的影响 | 第40-42页 |
| ·湿法光阻去除制程中溶液老化的影响 | 第42-47页 |
| ·空闲时间过长造成溶液老化的影响 | 第42-44页 |
| ·作业次数对溶液老化的影响 | 第44-47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| 第5章 湿法光阻去除的优化 | 第48-55页 |
| ·对体系混合温度控制得到较高的过氧化硫酸浓度 | 第48-51页 |
| ·对体系进行原料补给从而得到较高的过氧化硫酸浓度 | 第51-53页 |
| ·实验验证湿法制程改善后的效果 | 第53-54页 |
| ·通过切片确认优化方案的有效 | 第53-54页 |
| ·通过产品良率确认优化方案的有效 | 第54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 第6章 结论 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文目录 | 第59-61页 |
