| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 引言 | 第8-9页 |
| 第一章 导论 | 第9-23页 |
| ·HBT SiGe技术发展 | 第9-11页 |
| ·锗硅外延的性质 | 第11-17页 |
| ·锗硅的晶体结构 | 第11-12页 |
| ·应变与弛豫 | 第12-14页 |
| ·临界膜厚 | 第14-15页 |
| ·器件用锗硅的基本结构 | 第15-17页 |
| ·SiGe生长技术 | 第17-20页 |
| ·表面制备 | 第17-20页 |
| ·热脱附清洗技术(Thermal Desorption Cleaning) | 第17-18页 |
| ·HF-Last 清洗 | 第18-19页 |
| ·在氢气氛围中的热脱附 | 第19-20页 |
| ·SiGe薄膜生长反应 | 第20页 |
| ·SiGe HBT的电学特性 | 第20-22页 |
| ·本文工作的目的和论文内容的安排 | 第22-23页 |
| 第二章 实验装置介绍及相关参数测试 | 第23-32页 |
| ·装置介绍 | 第23-26页 |
| ·腔体加热系统 | 第24页 |
| ·基座旋转系统 | 第24-25页 |
| ·气体传输系统 | 第25-26页 |
| ·相关参数测试 | 第26-32页 |
| ·腔体温度的校准 | 第26-28页 |
| ·颗粒 | 第28页 |
| ·本征扩展电阻率形貌 | 第28-29页 |
| ·C/O含量和金属离子粘污测试 | 第29-30页 |
| ·基座中心化的确认 | 第30-32页 |
| 第三章 单一锗组分的锗硅外延 | 第32-39页 |
| ·使用程序的描述 | 第32-33页 |
| ·工艺响应确认和工艺优化 | 第33-39页 |
| ·试验设计方案 | 第33-34页 |
| ·实验结果分析 | 第34-39页 |
| ·温度的影响 | 第36-37页 |
| ·H_2的影响 | 第37-38页 |
| ·SiH_4和GeH_4流量的影响 | 第38-39页 |
| 第四章 渐变锗组分的锗硅外延 | 第39-48页 |
| ·渐变锗组分的锗硅工艺程序描述 | 第39-41页 |
| ·渐变锗组分锗硅的锗硅工艺SIMS结果 | 第41页 |
| ·器件参数 | 第41-48页 |
| ·电流增益β | 第42-43页 |
| ·击穿电压 | 第43-46页 |
| ·V_(BE) | 第46-48页 |
| 第五章 锗硅调试过程中的常见问题及其解决方案 | 第48-52页 |
| ·方块电阻呈特殊图形分布 | 第48-49页 |
| ·颗粒异常的判断与解决方案 | 第49-52页 |
| ·基座针孔(Pinhole)引起的颗粒 | 第49-50页 |
| ·前处理造成的颗粒 | 第50-52页 |
| 第六章 结论 | 第52-54页 |
| 参考文献 | 第54-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |