| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第8-20页 |
| ·引言 | 第8-9页 |
| ·传统光刻遇到的挑战 | 第9-11页 |
| ·下一代光刻技术介绍 | 第11-13页 |
| ·X射线光刻技术(XRL) | 第11页 |
| ·极紫外投影光刻技术(EUVL) | 第11-12页 |
| ·电子束光刻(EBL) | 第12-13页 |
| ·聚焦离子束光刻技术(FIB milling) | 第13页 |
| ·纳米压印光刻技术(NIL) | 第13页 |
| ·纳米压印优势 | 第13-15页 |
| ·纳米压印方法在微/纳光学制造领域的应用 | 第15-16页 |
| ·本文主要内容及章节安排 | 第16-17页 |
| ·主要内容 | 第16-17页 |
| ·章节安排 | 第17页 |
| ·参考文献 | 第17-20页 |
| 第2章 纳米压印技术介绍 | 第20-39页 |
| ·纳米压印基本原理 | 第20-28页 |
| ·纳米压印工艺步骤 | 第20-24页 |
| ·纳米压印对模板的要求 | 第24-26页 |
| ·纳米压印对压印胶的要求 | 第26-27页 |
| ·常见的纳米压印方法 | 第27-28页 |
| ·纳米压印应用 | 第28-32页 |
| ·纳米压印的研究现状 | 第32-34页 |
| ·纳米压印的研究现状 | 第32-33页 |
| ·纳米压印的挑战 | 第33-34页 |
| ·纳米压印前期的量化实验 | 第34-36页 |
| ·光刻胶旋涂厚度与转速之间的关系 | 第34-35页 |
| ·压印单位的转换 | 第35-36页 |
| ·参考文献 | 第36-39页 |
| 第3章 SiN_x光栅压印模板的制备及压印实验 | 第39-61页 |
| ·引言 | 第39-41页 |
| ·电子束光刻技术在NEB-22上形成光栅 | 第41-44页 |
| ·NEB-22胶对SiN_x的刻蚀掩膜特性 | 第44-52页 |
| ·反应离子刻蚀SiN_x的基本原理 | 第44-45页 |
| ·刻蚀时间和RF功率对SiN_x形貌的影响 | 第45-50页 |
| ·刻蚀时间对SiN_x形貌的影响 | 第45-48页 |
| ·RF功率对SiN_x形貌的影响 | 第48-50页 |
| ·NEB-22胶对SiN_x的刻蚀选择比 | 第50-52页 |
| ·Cr掩膜对SiN_x光栅的刻蚀特性 | 第52-57页 |
| ·NEB-22胶的剥离工艺 | 第52-56页 |
| ·剥离PMMA得到Cr掩膜 | 第56-57页 |
| ·100nm线宽SiN_x模板压印SU-8 | 第57-58页 |
| ·参考文献 | 第58-61页 |
| 第4章 亚波长光栅的偏振性能仿真 | 第61-76页 |
| ·引言 | 第61页 |
| ·光栅的偏振性能测试 | 第61-66页 |
| ·光栅的光学仿真 | 第66-74页 |
| ·632.8nm时的光栅偏振特性仿真 | 第66-67页 |
| ·光栅偏振特性随波长变化关系的仿真 | 第67-72页 |
| ·光在金属/介质光栅中的场分布 | 第72-74页 |
| ·参考文献 | 第74-76页 |
| 第5章 基于Su-8的Bragg filter及HDBRs的设计与制造 | 第76-92页 |
| ·引言 | 第76-78页 |
| ·聚合物布拉格滤波器(Polymeric Bragg filter) | 第76-77页 |
| ·水平分布布拉格反射镜(HDBRs) | 第77-78页 |
| ·理论模型 | 第78-83页 |
| ·转移矩阵理论 | 第78-80页 |
| ·计算布拉格反射镜反射率的理论 | 第80-83页 |
| ·模拟结果 | 第83-86页 |
| ·布拉格光栅滤波器的滤波特性 | 第83-85页 |
| ·HDBRs的反射率 | 第85-86页 |
| ·实验 | 第86-90页 |
| ·样品的准备 | 第86-87页 |
| ·布拉格滤波器的制备 | 第87-88页 |
| ·HDBRs的制备 | 第88-90页 |
| ·参考文献 | 第90-92页 |
| 第6章 总结与展望 | 第92-95页 |
| ·总结 | 第92-93页 |
| ·展望 | 第93-95页 |
| 附录:攻读硕士学位期间发表的论文 | 第95-96页 |
| 致谢 | 第96-97页 |