当前位置:
首页
--
工业技术
--
无线电电子学、电信技术
--
微电子学、集成电路(IC)
--
半导体集成电路(固体电路)
--
场效应型
基于CMOS 0.18μm工艺的一种流水线模数转换器的设计
低功耗CMOS集成电路设计方法的研究
基于SiGe BiCMOS工艺的高速、低功耗分频器设计
基于碳纳米管的CMOS逻辑电路的模拟和设计优化
用于浮栅存储器的电荷泵系统设计
低电压高电源抑制比带隙基准电路设计
工作在1V电源电压下的CMOS电压基准的研究与设计
高速片上CMOS电荷泵研究
一种应用在65纳米CMOS系统级芯片中的低压低功耗、高精度带隙基准源
基于高低压兼容工艺的高压驱动集成电路
正负双端输出连续可调电荷泵控制芯片设计
基于CMOS技术的红外接收芯片前端设计及实现
低压低噪声高性能基准的设计与实现
高性能带隙基准源的设计与实现
CMOS带隙基准源的研究与实现
0.6μmCMOS工艺622MH_z电荷泵锁相环的设计
CMOS集成电荷泵锁相环的设计与研究
电流控制模式单片开关电源的建模与设计
新型CMOS第二代电流控制电流传输器
锁相环用新型全差分CMOS电荷泵设计
基于ISO/IEC 14443-A协议的无源电子标签数字集成电路设计
高性能电荷泵锁相环分析与设计
电荷泵锁相环的设计及其相位噪声优化
模式可自动调整的电荷泵的研究与设计
低压差分信号系统的设计
连续小波变换的开关电流实现
一种基于0.13μmCMOS工艺的CML高速串行接口电路
基于0.13μmCMOS工艺的5Gbps CDR电路的设计与实现
PDP行驱动芯片用高压DMOS器件SPICE宏模型研究
光纤复接器CMOS集成电路设计
小尺寸纳米级集成NMOS器件的可制造性设计
Si基应变三维CMOS关键技术研究
深亚微米CMOS混合信号电路衬底耦合噪声模型
LVDS(Low-Voltage Differential Signaling)设计及应用
一种无乘法器的CMOS PFC控制电路
LVDS(Low Voltage Differential Signaling)设计及应用
射频CMOS集成电路中可变电容的研究与应用
0.25μm CMOS工艺中ESD关键技术研究
非接触射频识别卡前端模拟电路分析与设计
应变SiGe沟道SOI CMOS的特性研究
基于电压降低的IO级联MOS的ESD结构压缩研究和设计
315MHz CMOS无线接收芯片射频前端电路的设计与版图实现
一种CMOS零中频发端射频模块电路设计
植入式脑机接口神经信号采集处理技术研究与CMOS芯片设计
高k栅介质MOS器件模型和制备工艺研究
低压低功耗CMOS基准参考源的设计
一种高性能带隙基准电压源的设计
射频大功率LDMOS静态特性分析与优化
一种克服工艺参数影响的瞬态电流测试方法
高精度基准源的研究与设计
上一页
[4]
[5]
[6]
[7]
[8]
下一页