| 摘要 | 第1-10页 |
| ABSTRACT | 第10-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-27页 |
| ·LDMOS器件概述 | 第11-23页 |
| ·射频功率器件概述 | 第11页 |
| ·LDMOS器件结构 | 第11-12页 |
| ·LDMOS与其他功率半导体器件的比较 | 第12-15页 |
| ·LDMOS开发现状 | 第15-16页 |
| ·LDMOS器件研究进展 | 第16-23页 |
| ·射频大功率 LDMOS器件概述 | 第23-24页 |
| ·本论文的研究意义和研究内容 | 第24-27页 |
| 第二章 RESURF LDMOS击穿电压模型 | 第27-42页 |
| ·RESURF LDMOS击穿电压模型发展概述 | 第27-28页 |
| ·RESURF LDMOS漂移区电势与电场强度二维分布模型 | 第28-35页 |
| ·模型构成与边界条件 | 第28-29页 |
| ·模型求解 | 第29-32页 |
| ·模型验证与特性分析 | 第32-35页 |
| ·RESURF LDMOS击穿电压模型 | 第35-40页 |
| ·击穿类型与区域 | 第35-36页 |
| ·击穿电压的计算模型 | 第36-38页 |
| ·模型验证与特性分析 | 第38-40页 |
| ·小结 | 第40-42页 |
| 第三章 射频大功率 RESURF LDMOS击穿电压优化 | 第42-53页 |
| ·射频大功率 RESURF LDMOS耐压特性概述 | 第42-43页 |
| ·漏区边界曲率半径与击穿电压的关系 | 第43-48页 |
| ·漏区边界曲率半径对降低导通电阻的作用 | 第48-52页 |
| ·小结 | 第52-53页 |
| 第四章 射频大功率 LDMOS跨导模型 | 第53-63页 |
| ·射频大功率 LDMOS跨导特性概述 | 第53-54页 |
| ·射频大功率 LDMOS跨导原理分析 | 第54-57页 |
| ·基于速度饱和假设的射频大功率 LDMOS跨导模型 | 第57-62页 |
| ·电子迁移率分析 | 第57-58页 |
| ·跨导模型 | 第58-61页 |
| ·模型验证与特性分析 | 第61-62页 |
| ·小结 | 第62-63页 |
| 第五章 结束语 | 第63-66页 |
| ·结论 | 第63-64页 |
| ·下一步工作 | 第64-66页 |
| 致谢 | 第66-68页 |
| 参考文献 | 第68-74页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第74-75页 |
| 附录A 射频大功率 LDMOS跨导模型数值求解程序源代码 | 第75-76页 |
