| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 1 绪论 | 第9-15页 |
| ·引言 | 第9页 |
| ·SOI 技术 | 第9-11页 |
| ·SOI 的特点 | 第9-10页 |
| ·SOI 国内外发展状况 | 第10-11页 |
| ·SI/SIGE 异质结技术 | 第11-13页 |
| ·SI/SIGE 异质结的特点 | 第11页 |
| ·SI/SIGE 异质结国内外发展状况 | 第11-13页 |
| ·本文的研究意义和主要工作 | 第13-15页 |
| 2 物理模型及模拟方法 | 第15-23页 |
| ·应变SIGE 晶格结构 | 第15-16页 |
| ·应变SIGE 物理模型 | 第16-18页 |
| ·能带模型 | 第16页 |
| ·迁移率模型 | 第16-18页 |
| ·应变SI 物理模型 | 第18-19页 |
| ·能带模型 | 第18页 |
| ·迁移率模型 | 第18-19页 |
| ·模拟软件及模拟方法 | 第19-22页 |
| ·本章小结 | 第22-23页 |
| 3 应变SIGE 沟道SOI CMOS 的特性分析 | 第23-35页 |
| ·器件结构及原理 | 第23-24页 |
| ·模拟分析 | 第24-30页 |
| ·单管特性 | 第24-28页 |
| ·CMOS 特性 | 第28-30页 |
| ·结构参数对SIGE SOI PMOS 特性的影响 | 第30-33页 |
| ·SiGe 层厚度对器件特性的影响 | 第30-32页 |
| ·Ge 组分对器件特性的影响 | 第32-33页 |
| ·本章小结 | 第33-35页 |
| 4 应变SIGE 沟道SOI PMOS 的温度特性分析 | 第35-49页 |
| ·应变SIGE SOI PMOS 的温度特性分析 | 第35-38页 |
| ·温度对输出特性的影响 | 第35-36页 |
| ·温度对阈值电压的影响 | 第36-37页 |
| ·温度对泄漏电流的影响 | 第37-38页 |
| ·自加热效应的分析 | 第38-41页 |
| ·常温下自加热效应的分析 | 第38-41页 |
| ·不同温度下自加热效应的分析 | 第41页 |
| ·几种缓解自加热效应的结构 | 第41-47页 |
| ·DSOI 结构 | 第41-42页 |
| ·非单一Si02 埋层结构 | 第42-43页 |
| ·三种埋层结构的比较 | 第43-47页 |
| ·本章小结 | 第47-49页 |
| 5 应变SI 沟道SOI CMOS 的特性分析 | 第49-55页 |
| ·器件结构及原理 | 第49-50页 |
| ·制备方法 | 第50-51页 |
| ·模拟分析 | 第51-54页 |
| ·单管特性 | 第51-53页 |
| ·CMOS 特性 | 第53-54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 6 结论与展望 | 第55-57页 |
| ·结论 | 第55-56页 |
| ·展望 | 第56-57页 |
| 致谢 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-62页 |
| 攻读硕士学位期间发表论文 | 第62页 |
