| 摘要 | 第1-9页 |
| ABSTRACT | 第9-10页 |
| 引言 | 第10-13页 |
| 1 课题的提出 | 第10-11页 |
| 2 课题研究的主要内容及关键技术 | 第11-13页 |
| 第一章 集成电路虚拟制造技术 | 第13-22页 |
| ·新一代纳米级工艺仿真工具-Sentaurus Process | 第13-14页 |
| ·新一代纳米级器件物理特性仿真工具—Sentaurus Device | 第14-17页 |
| ·集成电路虚拟制造技术 | 第17-22页 |
| ·新一代纳米级TCAD设计平台—Sentaurus Workbench | 第18-19页 |
| ·Sentaurus WorkBench的优化机制 | 第19-22页 |
| 第二章 纳米级NMOS器件的设计考虑 | 第22-29页 |
| ·小尺寸NMOS器件的阈值电压模型 | 第22-26页 |
| ·长宽沟MOS器件的阈值电压模型 | 第22-23页 |
| ·短沟MOS器件的阈值电压模型 | 第23-26页 |
| ·穿通效应 | 第26-27页 |
| ·热载流子效应 | 第27-29页 |
| 第三章 纳米MOS器件结构设计 | 第29-35页 |
| ·纵向沟道掺杂工程 | 第29页 |
| ·源漏延伸区结构 | 第29-31页 |
| ·晕环(Halo)结构 | 第31-32页 |
| ·器件隔离 | 第32-33页 |
| ·栅工程 | 第33-34页 |
| ·纳米NMOS的器件结构 | 第34-35页 |
| 第四章 纳米NMOS工艺参数对器件特性的影响分析 | 第35-62页 |
| ·短沟道效应分析 | 第35-39页 |
| ·阈值电压、DIBL和栅长的关系 | 第35-36页 |
| ·关态电流和栅长的关系 | 第36-37页 |
| ·亚阈值斜率和栅长的关系 | 第37-38页 |
| ·器件跨导和栅长的关系 | 第38页 |
| ·栅长和器件输出曲线的关系 | 第38-39页 |
| ·阈值电压的影响因素分析 | 第39-43页 |
| ·沟道注入对阈值电压的影响 | 第39-40页 |
| ·阈值电压的优化设计 | 第40-43页 |
| ·穿通效应的影响因素分析 | 第43-49页 |
| ·提高源漏穿通电压的工艺方案研究 | 第43-45页 |
| ·抑穿通注入的实验分析 | 第45-49页 |
| ·源漏延伸区结构对器件特性的影响 | 第49-54页 |
| ·n~-区掺杂浓度对器件特性的影响 | 第50-52页 |
| ·n~-区注入深度对器件特性的影响 | 第52-54页 |
| ·Halo结构对器件特性的影响 | 第54-60页 |
| ·Halo注入剂量对器件性能的影响 | 第55-56页 |
| ·Halo注入能量对器件性能的影响 | 第56-58页 |
| ·Halo注入角度对器件性能的影响 | 第58-60页 |
| ·纳米NMOS的工艺制程 | 第60-62页 |
| 第五章 纳米NMOS器件的可制造性设计 | 第62-74页 |
| ·工艺仿真 | 第62-65页 |
| ·器件物理特性仿真 | 第65-67页 |
| ·可制造性设计 | 第67-74页 |
| ·控制因素和响应的选择 | 第67-68页 |
| ·实验设计与运行 | 第68页 |
| ·可制造性设计 | 第68-74页 |
| 结束语 | 第74-75页 |
| 参考文献 | 第75-79页 |
| 致谢 | 第79-80页 |
| 攻读硕士研究生期间所发表的学术论文 | 第80-81页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第81页 |
