高性能带隙基准源的设计与实现
| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 第一章 引言 | 第10-14页 |
| ·研究的目的和意义 | 第10页 |
| ·国内外发展现状和趋势 | 第10-12页 |
| ·研究的内容 | 第12页 |
| ·本文的主要内容 | 第12-14页 |
| 第二章 制造工艺和器件模型 | 第14-22页 |
| ·半导体工艺技术的发展简述 | 第14-15页 |
| ·BiCMOS 技术的工艺结构和特点 | 第15-19页 |
| ·一般的工艺结构和特点 | 第15-16页 |
| ·课题采用工艺简介 | 第16-19页 |
| ·双极型器件模型 | 第19页 |
| ·影响双极型晶体管器件模型的因素 | 第19-22页 |
| ·寄生串联电阻 | 第20页 |
| ·Early 效应 | 第20页 |
| ·电流增益变化 | 第20-21页 |
| ·大注入效应 | 第21-22页 |
| 第三章 基准电压源的分类及原理 | 第22-37页 |
| ·基准电压源的性能指标 | 第22-24页 |
| ·基准电压源的分类和性能比较 | 第24-26页 |
| ·带隙基准源的基本原理 | 第26-29页 |
| ·V_(BE) 的温度特性 | 第26-27页 |
| ·带隙基准电压的产生 | 第27-28页 |
| ·带隙基准电压的温度特性 | 第28-29页 |
| ·高性能的带隙基准电压源 | 第29-37页 |
| 第四章 带隙基准电压源的设计与仿真 | 第37-62页 |
| ·电路设计目标 | 第37页 |
| ·带隙基准电压源原理图 | 第37-40页 |
| ·带隙基准电压源的实现与仿真 | 第40-50页 |
| ·带隙基准电压源的实现 | 第40-45页 |
| ·仿真结果 | 第45-50页 |
| ·对带隙基准电压源的改进和仿真 | 第50-62页 |
| ·改进为高阶补偿结构 | 第50-53页 |
| ·加入预稳压器（Preregulator） | 第53-56页 |
| ·仿真结果 | 第56-62页 |
| 第五章 整体电路的设计和仿真 | 第62-69页 |
| ·运算放大器的设计 | 第62-67页 |
| ·两级运算放大器的设计与仿真 | 第63-66页 |
| ·折叠共源共栅运算放大器的设计与仿真 | 第66-67页 |
| ·整体电路设计与仿真 | 第67-69页 |
| 第六章 版图设计及测试结果 | 第69-80页 |
| ·版图设计 | 第69-73页 |
| ·版图设计的重要性 | 第69页 |
| ·版图设计的规则及示例 | 第69-73页 |
| ·测试结果 | 第73-80页 |
| ·输出电压 | 第74-79页 |
| ·电源调整率 | 第79页 |
| ·温度系数 | 第79-80页 |
| 第七章 结论 | 第80-83页 |
| 致谢 | 第83-84页 |
| 参考文献 | 第84-87页 |
| 在学期间的研究成果 | 第87-88页 |
