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315MHz CMOS无线接收芯片射频前端电路的设计与版图实现

摘要第1-5页
ABSTRACT第5-10页
第一章 绪论第10-13页
   ·研究动机及意义第10页
   ·FSK无线接受芯片研发现状第10-11页
   ·超外差式接收器的射频前端电路基本结构第11-12页
   ·FSK超外差式接收芯片射频前端电路的性能指标第12页
   ·论文概要第12-13页
第二章 低噪声放大器第13-44页
   ·散射参量第13-15页
   ·放大器的增益第15-16页
   ·放大器的稳定性第16-17页
   ·放大器的噪声性能第17-23页
     ·双端口网络噪声模型第17-20页
     ·MOS场效应管双端口网络噪声参数第20-22页
     ·低噪声放大器的增益和噪声系数对系统接收灵敏度的影响第22-23页
   ·大信号分析第23-26页
     ·一分贝压缩点第23-25页
     ·三阶截断点第25页
     ·动态范围第25-26页
   ·镜像抑制比第26页
   ·CMOS低噪声放大器电路结构第26-30页
   ·源级负反馈CMOS低噪声放大器的设计第30-38页
     ·确定低噪声放大器的基本电路结构第30-32页
     ·性能分析和电路改进第32-38页
       ·设计折衷第32-33页
       ·噪声优化分析第33-34页
       ·线性优化分析第34-35页
       ·低功耗窄带LNA的优化设计第35-38页
   ·仿真验证和仿真结果分析第38-42页
     ·偏置电流第38页
     ·电容 Cex第38-39页
     ·π型滤波器第39页
     ·镜像抑制滤波器第39页
     ·LNA的主要参数第39-42页
   ·版图设计第42页
   ·后仿真和实验结果预测第42-43页
   ·本章总结第43-44页
第三章 镜像抑制混频器第44-49页
   ·镜像抑制比第44页
   ·采用镜像抑制滤波器的混频器第44页
   ·正交镜像抑制混频器第44-46页
   ·二次混频镜像抑制混频器第46-48页
   ·混频器的设计要求第48页
   ·确定混频器的基本电路结构第48页
   ·本章总结第48-49页
第四章 混频器单元第49-63页
   ·混频器单元的数学模型第49页
   ·混频器单元的性能参数第49-52页
     ·转换增益或损耗第50页
     ·噪声指数第50-51页
     ·端口之间的隔离度第51-52页
     ·线性第52页
   ·混频器单元的电路结构第52-55页
     ·CMOS无源混频器单元第52-53页
     ·吉尔伯特混频器单元第53-54页
     ·二次抽样混频器单元第54-55页
   ·双平衡吉尔伯特混频器单元的设计第55-57页
     ·典型的双平衡吉尔伯特混频器单元第55-56页
     ·分析性能和改进电路第56-57页
   ·仿真验证和仿真结果分析第57-59页
     ·共源共栅结构提高本振-射频隔离度第58页
     ·旁路电容C5提高本振-射频隔离度第58页
     ·混频器单元的主要性能参数第58-59页
   ·版图设计第59-61页
   ·后仿真分析和实验结果预测第61-62页
   ·本章总结第62-63页
第五章 镜像抑制滤波器第63-73页
   ·简单RC-CR移相网络第63-64页
   ·多相滤波器第64-65页
   ·多相滤波器的性能参数第65-67页
     ·带宽第65页
     ·镜像抑制比第65页
     ·电压增益或损耗以及幅频响应第65-66页
     ·增益偏差和相位偏差第66页
     ·输入阻抗第66-67页
     ·噪声第67页
   ·多相滤波器的输出端接方式第67-68页
   ·多相滤波器的设计第68-69页
     ·带宽、级数以及各级极点频率第68页
     ·匹配第68页
     ·各级电阻的阻值第68-69页
     ·输出端接方式第69页
     ·中间级放大器第69页
   ·仿真结果第69页
   ·版图设计第69-71页
   ·后仿真及实验结果预测第71-72页
   ·本章总结第72-73页
第六章 论文总结第73-75页
   ·射频前端电路的联合仿真第73页
   ·总结第73-75页
致谢第75-76页
参考文献第76-78页
攻硕期间取得的研究成果第78页

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