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CMOS带隙基准源的研究与实现

摘要第1-6页
ABSTRACT第6-7页
致谢第7-10页
第一章 绪论第10-14页
   ·基准的几种主要类型第10-11页
   ·本文的研究背景和选题意义第11-12页
   ·本文的研究内容及结构第12-14页
第二章 带隙基准源的理论分析第14-23页
   ·基准源的指标第14页
   ·带隙基准源的基本结构及原理第14-21页
     ·负温度系数电压的产生第15-16页
     ·正温度系数电压的产生第16-17页
     ·带隙基准基本原理的实现电路第17-19页
     ·典型的一阶带隙基准电路第19-21页
   ·影响带隙基准性能的因素第21-23页
第三章 一种应用于DAC中的带隙基准源的设计第23-42页
   ·DAC简介第23-25页
   ·带隙基准电路设计指标第25页
   ·带隙基准电路设计第25-36页
     ·带隙基准主体电路设计第26-27页
     ·启动电路设计及基准稳定性考虑第27-28页
     ·运算放大器的设计第28-32页
     ·偏置电路设计第32-36页
   ·仿真结果第36-38页
   ·版图设计第38-42页
     ·设计规则第39页
     ·版图设计需要考虑的因素第39-41页
     ·带隙基准的版图第41-42页
第四章 一种应用于LDO中的带隙基准源的设计第42-48页
   ·LDO简介第42-43页
   ·带隙基准电路的设计第43-45页
   ·仿真结果第45-48页
第五章 一种低温度系数低电源电压带隙基准电路的设计第48-58页
   ·几种非线性温度补偿方法简介第48-53页
     ·利用MOS管亚阈区V-I特性的非线性补偿法第48-49页
     ·利用电阻的温度特性的曲率校正方法第49-50页
     ·指数曲率补偿方法第50-51页
     ·V_(BE)线性化法第51-52页
     ·温度分段补偿方法第52-53页
   ·低温度系数低电源电压带隙基准电路设计第53-56页
   ·仿真结果第56-58页
第六章 结论与展望第58-59页
参考文献第59-62页
攻读硕士学位期间发表的论文第62页

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