低功耗CMOS集成电路设计方法的研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 致谢 | 第7-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-18页 |
| ·引言 | 第13-14页 |
| ·低功耗技术的研究意义 | 第14-15页 |
| ·低功耗技术研究现状 | 第15页 |
| ·低功耗技术的应用 | 第15-16页 |
| ·本文的研究内容、结构和创新之处 | 第16-18页 |
| ·研究内容 | 第16页 |
| ·论文结构 | 第16-17页 |
| ·创新之处 | 第17-18页 |
| 第二章 低功耗技术综述 | 第18-23页 |
| ·功耗估计 | 第18-19页 |
| ·功耗优化 | 第19-21页 |
| ·动态功耗优化技术 | 第19-20页 |
| ·静态功耗优化技术 | 第20-21页 |
| ·低功耗技术交叉研究 | 第21-23页 |
| 第三章 CMOS电路功耗设计的基本方法 | 第23-33页 |
| ·动态功耗 | 第23-26页 |
| ·功能跳变功耗 | 第23-24页 |
| ·短路电流功耗 | 第24-25页 |
| ·竞争冒险功耗 | 第25-26页 |
| ·动态功耗优化方法 | 第26-28页 |
| ·降低电源电压 | 第26-27页 |
| ·降低负载电容 | 第27页 |
| ·降低开关活动性(跳变率) | 第27-28页 |
| ·静态功耗 | 第28-29页 |
| ·静态功耗优化方法 | 第29-31页 |
| ·阈值电压对漏电流的影响 | 第29-30页 |
| ·阈值电压的调节方法 | 第30-31页 |
| ·其他低功耗问题 | 第31页 |
| ·低功耗途径 | 第31-33页 |
| 第四章 CMOS器件模型与工作特性 | 第33-40页 |
| ·MOS场效应管的结构和符号 | 第33-34页 |
| ·MOS管的结构 | 第33-34页 |
| ·MOS管的符号 | 第34页 |
| ·MOS管的伏安特性 | 第34-36页 |
| ·二阶效应 | 第36-37页 |
| ·体效应 | 第36页 |
| ·沟道长度调制效应 | 第36-37页 |
| ·亚阈值特性 | 第37页 |
| ·MOS管低频大信号等效电路 | 第37-38页 |
| ·MOS管低频小信号等效电路 | 第38-40页 |
| 第五章 具体电路设计及仿真 | 第40-58页 |
| ·低压低功耗模拟集成电路设计技术 | 第40-46页 |
| ·衬底驱动电路 | 第40-43页 |
| ·浮栅MOS晶体管技术 | 第43页 |
| ·准浮栅MOS晶体管技术 | 第43-45页 |
| ·亚阈值特性设计技术 | 第45-46页 |
| ·基于衬底偏置的MOS管的特性分析 | 第46-48页 |
| ·基于衬底偏置技术的低压运算放大器设计 | 第48-53页 |
| ·集成运放的组成 | 第48-49页 |
| ·电路类型 | 第49-50页 |
| ·CMOS差分放大器主要性能 | 第50页 |
| ·运算放大器的设计 | 第50-53页 |
| ·工作在亚阈值区的带隙基准电压源设计 | 第53-56页 |
| ·典型的带隙基准电压源电路 | 第53-54页 |
| ·低压低功耗的带隙基准电压源电路 | 第54-55页 |
| ·模拟结果 | 第55-56页 |
| ·利用准浮栅技术和衬底偏置技术的运算放大器设计 | 第56-58页 |
| 第六章 结论与展望 | 第58-60页 |
| ·论文主要成果 | 第58-59页 |
| ·对今后工作的展望 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-64页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第64页 |
