| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-30页 |
| ·BCD工艺技术简介 | 第13-25页 |
| ·BCD工艺技术简述 | 第13-15页 |
| ·BCD工艺技术的发展 | 第15-25页 |
| ·功率集成电路概述 | 第25-27页 |
| ·功率集成电路简述 | 第25-26页 |
| ·功率集成电路的发展 | 第26-27页 |
| ·本文主要工作和创新 | 第27-30页 |
| 第二章 SOI高压器件场控REBULF模型与IFO技术 | 第30-58页 |
| ·常规SOI高压器件 | 第30-33页 |
| ·场控REBULF模型 | 第33-44页 |
| ·结构型REBULF器件 | 第33-35页 |
| ·场控REBULF模型 | 第35-38页 |
| ·场控REBULF SOI高压器件设计 | 第38-40页 |
| ·SOI高低压兼容工艺设计 | 第40-42页 |
| ·实验结果 | 第42-44页 |
| ·薄膜SOI背栅效应与IFO技术 | 第44-57页 |
| ·薄膜SOI背栅效应 | 第44-47页 |
| ·基于IFO技术的薄膜SOI高压LDMOS设计 | 第47-50页 |
| ·基于IFO技术的薄膜SOI高低压兼容工艺设计 | 第50-51页 |
| ·基于SIMOX材料的薄膜SOI高压LDMOS设计 | 第51-54页 |
| ·实验结果 | 第54-57页 |
| ·本章总结 | 第57-58页 |
| 第三章 硅基薄外延高压横向器件与BCD工艺 | 第58-79页 |
| ·薄外延技术与厚外延技术的比较 | 第58-61页 |
| ·硅基薄外延高压LDMOS与BCD兼容 | 第61-69页 |
| ·硅基薄外延高压双RESURF LDMOS设计 | 第61-63页 |
| ·硅基薄外延高压BCD兼容工艺设计 | 第63-65页 |
| ·实验结果 | 第65-69页 |
| ·1200V硅基厚外延高压LDMOS与BCD兼容 | 第69-78页 |
| ·1200V多区双RESURF LDMOS设计 | 第69-72页 |
| ·1200V硅基厚外延BCD兼容工艺设计 | 第72-74页 |
| ·实验结果 | 第74-78页 |
| ·本章总结 | 第78-79页 |
| 第四章 具有NFFP高压互连结构的LDMOS | 第79-99页 |
| ·高压互连技术概况 | 第79-84页 |
| ·NFFP高压互连结构的双RESURF LDMOS | 第84-93页 |
| ·具有HVI的单RESURF器件表面电场和电势解析模型 | 第84-86页 |
| ·NFFP高压互连结构的双RESURF LDMOS设计 | 第86-90页 |
| ·SLMFFP多区双RESURF LDMOS设计 | 第90-91页 |
| ·实验结果 | 第91-93页 |
| ·1P1M高压自屏蔽技术 | 第93-97页 |
| ·1P1M高压自屏蔽结构设计 | 第93-96页 |
| ·实验结果 | 第96-97页 |
| ·本章总结 | 第97-99页 |
| 第五章 基于高低压兼容工艺的高压驱动集成电路 | 第99-117页 |
| ·薄膜SOI高压驱动集成电路 | 第99-108页 |
| ·PDP驱动电路工艺概况 | 第99-102页 |
| ·薄膜SOI PDP寻址驱动电路设计 | 第102-103页 |
| ·薄膜SOI高压大电流控制电路设计 | 第103-104页 |
| ·实验结果 | 第104-108页 |
| ·PDP寻址驱动电路 | 第104-107页 |
| ·高压大电流控制电路 | 第107-108页 |
| ·硅基厚外延1000V三相高压驱动集成电路 | 第108-111页 |
| ·1000V三相高压驱动集成电路设计 | 第108-110页 |
| ·实验结果 | 第110-111页 |
| ·硅基薄外延高压半桥驱动集成电路 | 第111-115页 |
| ·高压半桥驱动集成电路设计 | 第111-112页 |
| ·实验结果 | 第112-115页 |
| ·本章总结 | 第115-117页 |
| 第六章 结论和展望 | 第117-120页 |
| ·结论 | 第117-119页 |
| ·展望 | 第119-120页 |
| 致谢 | 第120-121页 |
| 参考文献 | 第121-134页 |
| 攻博期间取得的研究成果 | 第134-136页 |
