一种应用在65纳米CMOS系统级芯片中的低压低功耗、高精度带隙基准源
| 中文摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-12页 |
| ·论文背景和目的 | 第9-10页 |
| ·论文架构 | 第10-12页 |
| 第二章 常见基准电压源 | 第12-17页 |
| ·简介 | 第12页 |
| ·齐纳基准源 | 第12-13页 |
| ·埋入式齐纳基准源 | 第13-14页 |
| ·带隙基准电压源 | 第14-15页 |
| ·几种基准源的比较 | 第15-17页 |
| 第三章 CMOS 带隙基准源 | 第17-32页 |
| ·简介 | 第17页 |
| ·基准电压源的主要技术指标 | 第17-19页 |
| ·精度温漂和时漂 | 第17-18页 |
| ·噪声 | 第18页 |
| ·负载调整率与电源电压抑制 | 第18-19页 |
| ·带隙基准电压源的理论基础 | 第19-24页 |
| ·双极晶体管的温度特性-负温度系数电压 | 第19-20页 |
| ·双极晶体管的温度特性-正温度系数电压 | 第20-21页 |
| ·MOS 晶体管的温度特性 | 第21-24页 |
| ·高性能带隙基准源的原理与结构 | 第24-29页 |
| ·带隙基准源的典型电路结构 | 第25-27页 |
| ·低电压带隙基准源的电路结构 | 第27-29页 |
| ·非线性温度补偿方法 | 第29-32页 |
| ·利用电阻的温度特性进行高阶温度补偿 | 第29-30页 |
| ·V_(BE) 环路法 | 第30页 |
| ·分段非线性补偿 | 第30-31页 |
| ·抵消V_(BE) 非线性项法 | 第31-32页 |
| 第四章 低压低功耗、高精度基准电压源的设计 | 第32-50页 |
| ·基准源整体结构 | 第32-33页 |
| ·带隙核心的设计 | 第33-37页 |
| ·系统架构的设计 | 第33-34页 |
| ·电流求和模式的温度补偿原理 | 第34-37页 |
| ·运放的设计 | 第37-42页 |
| ·运放对基准电压源的影响 | 第37-40页 |
| ·运放结构的确定及其设计 | 第40-41页 |
| ·运放性能优化 | 第41页 |
| ·运放仿真结果 | 第41-42页 |
| ·滤波器的设计 | 第42-43页 |
| ·启动电路的设计 | 第43-44页 |
| ·带隙的仿真及优化 | 第44-48页 |
| ·直流输出电压仿真结果 | 第45-46页 |
| ·电源电压抑制仿真结果 | 第46-48页 |
| ·小结 | 第48-50页 |
| 第五章 版图设计及验证 | 第50-65页 |
| ·简介 | 第50页 |
| ·模拟电路版图设计 | 第50-57页 |
| ·匹配性设计 | 第50-53页 |
| ·耦合 | 第53-54页 |
| ·寄生参数 | 第54页 |
| ·整体布局 | 第54-55页 |
| ·关键信号 | 第55-56页 |
| ·金属互连 | 第56-57页 |
| ·带隙基准源版图设计 | 第57-63页 |
| ·电流源的版图设计 | 第57-58页 |
| ·运算放大器的版图设计 | 第58-60页 |
| ·电阻的版图设计 | 第60-62页 |
| ·三极管的版图设计 | 第62-63页 |
| ·带隙基准源整体版图 | 第63页 |
| ·版图验证 | 第63-65页 |
| 第六章 总结 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-70页 |
| 攻读学位学期间公开发表的论文 | 第70-71页 |
| 致谢 | 第71页 |
