| 摘要 | 第1-3页 |
| Abstract | 第3-6页 |
| 第一章 序言 | 第6-23页 |
| ·摩尔定律和硅基技术的极限 | 第6-9页 |
| ·摩尔定律概述 | 第7-8页 |
| ·硅基CMOS 技术所面临的理论极限 | 第8-9页 |
| ·碳纳米管简介 | 第9-14页 |
| ·碳纳米管的结构 | 第10-11页 |
| ·碳纳米管的电学特性 | 第11-14页 |
| ·国际上CNTFET 及CNT CMOS 逻辑电路研究简介 | 第14-20页 |
| ·CNTFET 的发展 | 第14-15页 |
| ·高性能CNTFET 介绍 | 第15-18页 |
| ·国际上CNT CMOS 介绍 | 第18-20页 |
| ·本实验室的CNTFET 及CNT CMOS 逻辑电路研究 | 第20-23页 |
| ·本实验室的CNTFET | 第20-21页 |
| ·本实验室CNT CMOS 逻辑器件 | 第21-23页 |
| 第二章 CNTFET 模拟方法 | 第23-37页 |
| ·电路模拟工具SPICE | 第24-28页 |
| ·SPICE 简介 | 第24-25页 |
| ·SPICE 可模拟的内容 | 第25-27页 |
| ·SPICE 程序可输入的元器件和电源 | 第27-28页 |
| ·SPICE 器件模型分类 | 第28页 |
| ·CNTFET 数学函数模型 | 第28-32页 |
| ·IEEE 的SPICE 兼容模型 | 第28-32页 |
| ·Stanford 的SPICE 兼容模型 | 第32页 |
| ·CNTFET 半经验查表模型 | 第32-37页 |
| ·MOSFET 查表模型简介 | 第33页 |
| ·iv-SPICE 仿真平台 | 第33-34页 |
| ·CNTFET 半经验查表模型 | 第34-37页 |
| 第三章 CNT CMOS 逻辑电路的模拟方法与实现 | 第37-49页 |
| ·CNT CMOS 逻辑电路的模拟方法 | 第37-42页 |
| ·查表数据的来源和处理方法 | 第37-39页 |
| ·顶栅CNTFET 栅电容的计算方法 | 第39-40页 |
| ·CNTFET 各器件中半经验参数的确定 | 第40-41页 |
| ·CNT CMOS 逻辑电路的实现方法 | 第41-42页 |
| ·CNT CMOS 逻辑电路的实现 | 第42-47页 |
| ·CNT CMOS 反相器逻辑功能的实现 | 第42-43页 |
| ·CNT CMOS 与非门逻辑功能的实现 | 第43-45页 |
| ·CNT CMOS 或非门逻辑功能的实现 | 第45-46页 |
| ·CNT CMOS 加法器逻辑功能的实现 | 第46-47页 |
| ·本章小结 | 第47-49页 |
| 第四章 CNT CMOS 逻辑电路的设计优化 | 第49-60页 |
| ·CNT CMOS 反相器的性能研究 | 第49-51页 |
| ·反相器直流特性的模拟 | 第49-50页 |
| ·反相器瞬态特性的模拟 | 第50-51页 |
| ·CNT CMOS 反相器瞬态特性分析 | 第51-55页 |
| ·模拟方法 | 第51-53页 |
| ·工作电压对门延迟时间影响 | 第53-54页 |
| ·阈值电压对门延迟时间影响 | 第54-55页 |
| ·CNT CMOS 反相器直流特性分析与优化方案 | 第55-58页 |
| ·工作电压对直流特性的影响 | 第55-57页 |
| ·阈值电压对直流特性的影响 | 第57-58页 |
| ·CNTFET 与非门、或非门瞬态特性分析和优化方案 | 第58-59页 |
| ·本章小结 | 第59-60页 |
| 结论与展望 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-64页 |
| 发表论文情况 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
