| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-22页 |
| ·Si基应变三维CMOS集成电路的意义 | 第10-12页 |
| ·国内外发展状况 | 第12-20页 |
| ·本论文的研究内容与安排 | 第20-22页 |
| 第二章 应变Si与应变SiGe材料的基本物理特性 | 第22-40页 |
| ·Si/SiGe材料的应变 | 第22-24页 |
| ·应变Si基本物理参数 | 第24-30页 |
| ·应变Si能带结构 | 第24-25页 |
| ·应变Si载流子有效质量 | 第25-26页 |
| ·应变Si有效状态密度和本征载流子浓度 | 第26-28页 |
| ·应变Si迁移率模型 | 第28-30页 |
| ·应变SiGe基本物理参数 | 第30-39页 |
| ·应变SiGe能带结构 | 第30-37页 |
| ·应变SiGe载流子有效质量 | 第37页 |
| ·应变SiGe有效状态密度和本征载流子浓度 | 第37-38页 |
| ·应变SiGe载流子迁移率 | 第38-39页 |
| ·本章小结 | 第39-40页 |
| 第三章 低温/高真空SOI结构研制及Si基应变三维CMOS研究 | 第40-64页 |
| ·SOI结构技术 | 第40-46页 |
| ·低温/高真空硅片直接键合与智能剥离技术研究 | 第46-53页 |
| ·键合性能表征与影响键合质量的因素 | 第46-48页 |
| ·低温硅片直接键合 | 第48-52页 |
| ·低温/高真空硅片直接键合技术 | 第52-53页 |
| ·实验过程与结果分析 | 第53-57页 |
| ·实验过程 | 第53-54页 |
| ·实验结果分析 | 第54-57页 |
| ·应变Si/应变SiGe SOI三维CMOS器件 | 第57-62页 |
| ·Si基应变SOI CMOS器件的基本结构 | 第58-59页 |
| ·Si基应变SOI CMOS器件的电学特性分析 | 第59-60页 |
| ·Si基应变SOI CMOS器件的电学特性仿真 | 第60-62页 |
| ·本章小结 | 第62-64页 |
| 第四章 垂直层叠共栅应变Si/应变SiGe量子阱CMOS研究 | 第64-94页 |
| ·弛豫SiGe缓冲层技术 | 第64-65页 |
| ·多晶SiGe栅技术研究 | 第65-69页 |
| ·多晶SiGe功函数与Ge组分的关系 | 第65-66页 |
| ·p~+多晶SiGe栅MOS结构阈值电压仿真分析 | 第66-68页 |
| ·p~+多晶SiGe栅MOSFET仿真分析 | 第68-69页 |
| ·垂直层叠共栅应变Si/应变SiGe量子阱CMOS结构与原理 | 第69-71页 |
| ·垂直层叠共栅应变Si/应变SiGe量子阱CMOS仿真及优化 | 第71-91页 |
| ·Medici模型修正 | 第71-74页 |
| ·垂直层叠共栅应变Si/应变SiGe量子阱CMOS仿真分析 | 第74-78页 |
| ·垂直层叠共栅应变Si/应变SiGe量子阱CMOS结构参数分析 | 第78-89页 |
| ·垂直层叠共栅应变Si/应变SiGe量子阱CMOS结构优化设计 | 第89-91页 |
| ·垂直层叠共栅应变Si/应变SiGe量子阱CMOS反相器 | 第91页 |
| ·本章小结 | 第91-94页 |
| 第五章 结束语 | 第94-96页 |
| 致谢 | 第96-98页 |
| 参考文献 | 第98-118页 |
| 在读期间研究成果 | 第118-119页 |
