| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 1 绪论 | 第10-22页 |
| ·CMOS 基准源的应用背景 | 第10-13页 |
| ·CMOS 基准源的技术背景 | 第13-17页 |
| ·CMOS 基准源的研究现状 | 第17-19页 |
| ·低压低功耗CMOS 基准参考源的设计方案 | 第19-20页 |
| ·研究目的与意义 | 第20-22页 |
| 2 低电压低功耗MOSFET 基准电路模型 | 第22-38页 |
| ·亚阈值MOSFET 模型 | 第22-34页 |
| ·亚阈值MOSFETS 基准电路模型 | 第34-37页 |
| ·本章小结 | 第37-38页 |
| 3 低电压低功耗MOSFET 基准电路的设计 | 第38-65页 |
| ·亚阈值MOSFET 电压模基准电路 | 第38-50页 |
| ·亚阈值MOSFET 电流模基准电路 | 第50-63页 |
| ·本章总结 | 第63-65页 |
| 4 高性能亚阈值MOSFET 基准电路的设计 | 第65-111页 |
| ·一种结构新颖的亚阈值MOSFET 电流模基准电路 | 第65-77页 |
| ·基于集成电阻温度系数进行温度曲率补偿的亚阈值MOSFET 电流模基准电路 | 第77-91页 |
| ·一种新颖的高阶温度曲率补偿的亚阈值MOSFET 电流模基准电路 | 第91-101页 |
| ·一种高电源抑制比亚阈值MOSFET 电流模基准电路 | 第101-108页 |
| ·本章总结 | 第108-111页 |
| 5 亚阈值MOSFET 基准参考源的工艺误差修正 | 第111-121页 |
| ·电阻工艺误差修正策略 | 第111-114页 |
| ·工艺误差修正方案 | 第114-117页 |
| ·基准参考源工艺误差的修正 | 第117-119页 |
| ·本章总结 | 第119-121页 |
| 6 全文总结与展望 | 第121-124页 |
| 致谢 | 第124-125页 |
| 参考文献 | 第125-131页 |
| 附录1 攻读博士学位期间发表的论文 | 第131页 |
