| 摘要 | 第1-3页 |
| ABSTRACT | 第3-10页 |
| 1 绪论 | 第10-12页 |
| ·引言 | 第10-11页 |
| ·论文的结构 | 第11-12页 |
| 2 ESD 保护的研究 | 第12-28页 |
| ·ESD 常见的模型 | 第12-15页 |
| ·人体模型（HBM ，Human Body Model） | 第12页 |
| ·机器模型(MM，Machine Mode) | 第12-13页 |
| ·充电器件模型(CDM，Charge Device Model) | 第13-14页 |
| ·三种模型的比较 | 第14-15页 |
| ·ESD 的测试方法 | 第15-17页 |
| ·HBM 的测试 | 第15-16页 |
| ·CDM 的测试 | 第16-17页 |
| ·ESD 保护电路的原理 | 第17-18页 |
| ·ESD 常用保护器件 | 第18-21页 |
| ·二极管(diode) | 第18-19页 |
| ·栅极接地MOS 管(GGNMOS,Gate-Ground NMOSFET) | 第19-20页 |
| ·栅极耦合MOS 管(GCNMOS,Gate-Coupled NMOSFET) | 第20-21页 |
| ·ESD 典型的设计结构 | 第21-23页 |
| ·ESD 电流通路 | 第23-28页 |
| ·PS 模式下PAD, VSS 之间的ESD 低阻旁路 | 第23-24页 |
| ·NS 模式下VSS，PAD 之间ESD 低阻旁路 | 第24页 |
| ·PD 模式下PAD，VDD 之间ESD 低阻旁路 | 第24-25页 |
| ·ND 模式下VDD，PAD 之间ESD 低阻旁路 | 第25-26页 |
| ·VDD，VSS 之间ESD 低阻旁路 | 第26-27页 |
| ·电源线之间ESD 低阻旁路 | 第27页 |
| ·PAD，PAD 之间ESD 低阻旁路 | 第27-28页 |
| 3 对现有的库进行面积压缩 | 第28-32页 |
| ·对现有的I/O 单元库进行压缩的可行性分析 | 第28页 |
| ·完整的单元库中输出驱动级与ESD 保护结构 | 第28-30页 |
| ·压缩I/O 单元库的电路设计 | 第30-32页 |
| ·对IO 单元输出驱动部分面积的缩小 | 第30-32页 |
| 4 由于IO 单元的噪声控制电路的设计 | 第32-41页 |
| ·电源线噪声产生的原理 | 第32页 |
| ·IO 单元库中电源噪声控制电路的设计 | 第32-41页 |
| ·压缩后的IO库与压缩前IO设计参数的比较 | 第33-35页 |
| ·SSO（Simultaneously Switching Outputs）模拟的基本原理和结果比较 | 第35-40页 |
| ·Sso 结果比较 | 第40页 |
| ·在弃用两条电源线后的IO 库ESD 防护网路 | 第40-41页 |
| 5 对现有的库进行面积压缩的版图设计 | 第41-49页 |
| ·对版图布局的设计 | 第41-44页 |
| ·版图层次结构设计 | 第44-48页 |
| ·版图层次 | 第44-46页 |
| ·放置PAD相关版图 | 第46页 |
| ·大尺寸的 NMOS 管 | 第46-47页 |
| ·Pre-driver 部分的版图设计 | 第47-48页 |
| ·改建 IO 库前后版图尺寸的对比 | 第48-49页 |
| 6 结论 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-51页 |
| 附录1 VOH 的HSPICE 输入文件 | 第51-53页 |
| 附录2 VOL 的HSPICE 输入文件 | 第53-55页 |
| 附录3 IOH 的HSPICE 输入文件 | 第55-57页 |
| 附录4 IOL 的HSPICE 输入文件 | 第57-59页 |
| 附录5 对IOCELL 上升下降时间以及CELL DELAY 时间的测试输入文件 | 第59-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第63-66页 |
| 上海交通大学学位论文答辩决议书 | 第66页 |
