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PDP行驱动芯片用高压DMOS器件SPICE宏模型研究

摘要第1-5页
ABSTRACT第5-8页
符号、变量、缩略词等本论文专用术语的注释第8-10页
绪言第10-18页
第一章 高压DMOS 器件模型综述第18-33页
   ·高压DMOS 器件建模概述第18-22页
   ·物理模型第22-26页
   ·宏模型第26-29页
   ·经验模型第29页
   ·混合模型第29-30页
   ·小结第30-33页
第二章 高压VDMOS 器件的物理模型第33-60页
   ·PIC 中N-VDMOS 器件结构和工艺第33-34页
   ·器件工作区域划分第34-35页
   ·埋层及连接层电阻模型第35-38页
   ·沟道区模型第38-42页
   ·漂移区模型第42-47页
   ·瞬态模型第47-56页
   ·温度模型第56-59页
   ·小结第59-60页
第三章 高压DMOS 器件的二维数学模型第60-74页
   ·规范化分段线性建模方法及基本思想第61-62页
   ·二维规范化分段线性数学模型第62-66页
   ·应用POWELL寻优算法求解第66-68页
   ·二维电流及电容的数学模型第68-72页
   ·模型精度讨论第72-73页
   ·小结第73-74页
第四章 高压DMOS 器件的SPICE 宏模型第74-92页
   ·一维非线性SPICE 宏模型第74-77页
   ·二维非线性SPICE 宏模型第77-79页
   ·N-VDMOS 的等效电路宏模型第79-84页
   ·P-LDMOS 的等效电路宏模型第84-89页
   ·SPICE 库的建立和应用第89-90页
   ·宏模型瞬态分析比较第90-91页
   ·小结第91-92页
第五章 模型在PDP 驱动芯片及系统中的应用第92-102页
   ·高压驱动电路第92-94页
   ·电路仿真与测试第94-98页
   ·芯片及系统应用第98-100页
   ·小结第100-102页
第六章 总结与展望第102-105页
   ·总结第102-103页
   ·展望第103-105页
致谢第105-106页
附录第106-109页
博士期间取得的成果第109-110页
参考文献第110-115页

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