| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-11页 |
| 1 绪论 | 第11-30页 |
| ·CMOS 集成电路的发展 | 第11-12页 |
| ·MOS 器件按比例缩小和使用高K 栅介质的必要性 | 第12-16页 |
| ·高K 栅介质替代5102 介质的原则和要求 | 第16-17页 |
| ·高K 栅介质MOS 器件模型研究进展 | 第17-22页 |
| ·高K 栅介质研究概况 | 第22-27页 |
| ·本论文主要研究工作 | 第27-30页 |
| 2 自洽解方法求解MOS 器件隧穿电流 | 第30-49页 |
| ·量子束缚效应 | 第30-31页 |
| ·超薄栅介质MOS 器件界面势阱的量子化效应 | 第31-38页 |
| ·自洽解结果与分析 | 第38-43页 |
| ·隧穿电流模型 | 第43-46页 |
| ·SIO_2 栅介质MOS 器件仿真结果与分析 | 第46-48页 |
| ·本章小结 | 第48-49页 |
| 3 高K 栅介质MOS 器件隧穿电流解析模型 | 第49-70页 |
| ·耗尽/反型状态高K 栅介质MOS 器件隧穿电流 | 第49-56页 |
| ·积累状态高K 栅介质MOS 器件隧穿电流模型 | 第56-68页 |
| ·本章小结 | 第68-70页 |
| 4 HFO_2 栅介质MOS 电容制备和电特性研究 | 第70-85页 |
| ·样品制备流程 | 第70-73页 |
| ·界面态和边界陷阱的测量 | 第73-77页 |
| ·HFO_2 栅介质MOS 器件电特性研究 | 第77-83页 |
| ·本章小结 | 第83-85页 |
| 5 HFTION 栅介质MOS 电容制备和电特性研究 | 第85-96页 |
| ·HFTIO 薄膜的退火及电特性研究 | 第85-90页 |
| ·HFTIN 薄膜的退火及电特性研究 | 第90-94页 |
| ·本章小结 | 第94-96页 |
| 6 高K 栅介质MOSFET 电特性模拟分析 | 第96-109页 |
| ·高K 栅介质MOSFET 阈值电压和亚阈斜率模拟 | 第96-102页 |
| ·量子条件下的阈值电压模型 | 第102-108页 |
| ·本章小结 | 第108-109页 |
| 7 全文总结 | 第109-111页 |
| 致谢 | 第111-112页 |
| 参考文献 | 第112-125页 |
| 附录 攻读博士学位期间发表的论文 | 第125页 |
