射频CMOS集成电路中可变电容的研究与应用
| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-14页 |
| ·射频集成电路及无线通讯技术的发展 | 第10-11页 |
| ·与选题相关的国内外科技发展动态 | 第11页 |
| ·压控振荡器在射频集成电路中的地位 | 第11-12页 |
| ·所选课题的目的和意义 | 第12-13页 |
| ·可变电容的发展 | 第13页 |
| ·论文的主要内容 | 第13-14页 |
| 第二章 CMOS工艺 | 第14-18页 |
| ·传统CMOS工艺 | 第14-16页 |
| ·晶片制造工艺 | 第14页 |
| ·氧化工艺 | 第14页 |
| ·扩散工艺 | 第14-15页 |
| ·离子注入 | 第15页 |
| ·淀积工艺 | 第15页 |
| ·光刻工艺 | 第15-16页 |
| ·刻蚀工艺 | 第16页 |
| ·亚微米CMOS混合信号工艺 | 第16-18页 |
| ·双阱工艺 | 第16-17页 |
| ·浅槽隔离工艺 | 第17页 |
| ·轻掺杂漏注入工艺 | 第17页 |
| ·侧墙的形成 | 第17-18页 |
| 第三章 CMOS工艺中可变电容的基本原理 | 第18-24页 |
| ·二极管可变电容 | 第18-19页 |
| ·两端口MOS可变电容 | 第19-21页 |
| ·反型型可变电容 | 第20-21页 |
| ·积累型可变电容 | 第21页 |
| ·三端口MOS可变电容－栅漏极控制可变电容 | 第21-24页 |
| 第四章 射频器件的测试 | 第24-30页 |
| ·测试仪器简介 | 第24-25页 |
| ·仪器的校准 | 第25-28页 |
| ·测试结构中的版图规则 | 第28-30页 |
| 第五章 可变电容的测试结果分析 | 第30-46页 |
| ·可变电容的最优版图 | 第30-32页 |
| ·二极管可变电容的版图优化及测量结果 | 第32-33页 |
| ·两端口MOS可变电容的版图优化及测量结果 | 第33-39页 |
| ·反型型MOS可变电容 | 第33-35页 |
| ·积累型MOS可变电容 | 第35-39页 |
| ·上述可变电容小结 | 第39页 |
| ·差分可变电容的结构及测量结果 | 第39-41页 |
| ·三端口MOS可变电容的版图优化及测量结果 | 第41-43页 |
| ·小结 | 第43-44页 |
| ·开关可变电容 | 第44-46页 |
| 第六章 可变电容的建模 | 第46-54页 |
| ·BSIM模型的发展 | 第46-47页 |
| ·BSIM3V3 有关C-V特性的模型参数 | 第47-49页 |
| ·可变电容的建模 | 第49-54页 |
| 第七章 可变电容在VCO电路中的应用 | 第54-74页 |
| ·VCO工作的基本原理 | 第54-59页 |
| ·VCO的设计和仿真 | 第59-69页 |
| ·VCO电路的设计 | 第59-62页 |
| ·VCO电路中的器件以及版图设计 | 第62-69页 |
| ·可变电容在VCO中的仿真结果 | 第69-74页 |
| 第八章 结束语 | 第74-76页 |
| 致谢 | 第76-78页 |
| 参考文献 | 第78-80页 |
| 研究成果 | 第80页 |
