当前位置：
首页
--
数理科学和化学
--
物理学
--
半导体物理学
离子注入6H-SiC引起的损伤及其光学性质的研究
GaAs/AlGaAs多量子阱材料的辐照效应研究
平均键能物理内涵与肖特基势垒和异质结带阶的研究
AlGaAs:Sn混晶中DX中心能级的精细结构
硫钝化GaP半导体表面性质的研究
硅中金杂质双重能级俘获——复合载流子的物理图像的统计描述
几种反常弛豫的宽带隙半导体（110）表面电子结构的理论研究
低维半导体材料结构参数的高分辨率X射线衍射研究
氧化锌可见区发光机理研究进展
应变GaN/AlxGa1-xN柱形量子点中杂质态和极化子效应
半导体CuXTe2（X=Ga,In）和ZnGa2X4（X=S,Se）第一性原理研究
CdTe量子点在活体细胞中的探测：双光子激发
半导体对称双量子阱中等离激元性质的研究
静电感应有机发光晶体管的研究
基于介观和多体层面的对于半导体自旋电子学中若干问题的研究
双量子点中的量子信息研究
直流溅射法制备ZnO/Si异质结的光电转换特性研究
宽带隙半导体（ZnO，SiC）材料的制备及其光电性能研究
有机半导体表面与界面电子结构的同步辐射光电子能谱研究
AlxGa1-xN/GaN异质结构中二维电子气的Rashba自旋轨道耦合和圆偏振自旋光电效应
半导体量子点的合成、表征及其应用的研究
非均匀磁场对量子点中电子的能谱和磁化强度的影响
类氢杂质量子点中激子性质的研究
耦合量子点系统中输运性质的理论研究
掺杂对ZnO能带结构和光学性质的影响
Si/SiGe量子阱空穴子带跃迁及其在中远红外光发射/探测器中的应用研究
正入射p型SiGe/Si量子阱红外探测器的研制
Si衬底上Ge/Si岛的有序可控生长与表征
半导体量子点（nc-Si/SiO2）/SiO2的激子能级
硅量子点镶嵌薄膜材料的非线性光学性质
二维带负电激子系统的低激发能谱与对称性效应
半导体量子点系统拉曼散射的理论研究
三维球量子点中D~-和D~0结合能的理论研究
Rashba自旋轨道耦合对半导体AB测试仪中自旋输运的影响
侧基取代的有机共轭聚合物中极化子动力学性质的研究
电子自旋驰豫和隧穿特性研究
磁场作用下抛物势量子线中负施主杂质离子体系的性质
磁场对耦合双量子盘中类氢杂质性质的影响
正常金属/半导体/d波超导结中的隧穿谱和散粒噪声
磁场下有限深矩形量子线中激子束缚能的研究
GaN基稀磁半导体的制备与性质研究
ZnO基稀磁半导体的光学和磁学性质
磁场下量子环的电子态及远红外吸收谱的研究
半导体ZnO新型纳米结构的理论与实验研究
自旋电子学材料的第一性原理研究
GaAs光生载流子动力学机制的超快光谱学研究
周期耦合量子点体系的输运性质
一维量子点链中的共振隧穿理论
量子点中杂质势约束的少体体系的电子结构
高隔离度光控微波开关的理论与技术研究
上一页
[11]
[12]
[13]
[14]
[15]
下一页
