| 致谢 | 第1-6页 |
| 中文摘要 | 第6-7页 |
| ABSTRACT | 第7-11页 |
| 1. 绪论 | 第11-22页 |
| ·半导体纳米晶 | 第11页 |
| ·半导体纳米晶的特性 | 第11-14页 |
| ·量子尺寸效应 | 第12-13页 |
| ·表面效应 | 第13页 |
| ·小尺寸效应 | 第13页 |
| ·介电限域效应 | 第13-14页 |
| ·量子隧穿 | 第14页 |
| ·半导体纳米晶的制备方法 | 第14-16页 |
| ·核壳结构的半导体纳米晶 | 第16页 |
| ·半导体纳米晶的发光原理和发光特性 | 第16-18页 |
| ·半导体纳米晶的光致发光原理 | 第16-17页 |
| ·半导体纳米晶的发光特性 | 第17-18页 |
| ·半导体纳米晶的应用进展 | 第18-20页 |
| ·半导体纳米晶在电致发光器件中的应用 | 第18-19页 |
| ·半导体纳米晶在生物标记研究中的应用 | 第19-20页 |
| ·本论文的研究意义和主要内容 | 第20-22页 |
| 2. CdSe纳米晶在水相中的合成、表征和发光特性的研究 | 第22-36页 |
| ·实验部分 | 第22-25页 |
| ·实验仪器和试剂 | 第22-23页 |
| ·制备过程 | 第23-25页 |
| ·CdSe纳米晶的结构表征 | 第25-27页 |
| ·X射线光电子能谱(XPS)分析 | 第25页 |
| ·X射线粉末衍射(XRD)分析 | 第25-26页 |
| ·透射电子显微镜(TEM)分析 | 第26-27页 |
| ·水相中制备的CdSe纳米晶的光致发光特性研究 | 第27-35页 |
| ·不同回流时间对CdSe纳米晶制备的影响 | 第27-30页 |
| ·不同回流时间对CdSe纳米晶发射峰半高宽影响 | 第30-31页 |
| ·不同量稳定剂对CdSe纳米晶制备的影响 | 第31-32页 |
| ·不同pH值对CdSe纳米晶制备的影响 | 第32-34页 |
| ·陈置时间对CdSe纳米晶的影响 | 第34-35页 |
| ·本章小结 | 第35-36页 |
| 3. CdSe/CdS核壳纳米晶的制备、表征和发光特性的研究 | 第36-44页 |
| ·实验部分 | 第36-37页 |
| ·实验试剂和仪器 | 第36-37页 |
| ·制备过程 | 第37页 |
| ·CdSe/CdS形貌表征 | 第37-39页 |
| ·X射线光电子能谱(XPS)分析 | 第37-38页 |
| ·X射线粉末衍射(XRD)分析 | 第38-39页 |
| ·CdSe/CdS纳米晶的发光特性研究 | 第39-43页 |
| ·CdSe纳米晶与CdSe/CdS核壳纳米晶比较 | 第39-41页 |
| ·反应加入物不同对制备CdSe/CdS核壳纳米晶影响 | 第41-42页 |
| ·CdSe/CdS核壳纳米晶的稳定性 | 第42-43页 |
| ·本章小结 | 第43-44页 |
| 4. 量子点发光器件的电致发光特性 | 第44-50页 |
| ·实验部分 | 第44-46页 |
| ·ITO基片的清洗和处理 | 第45页 |
| ·PVK聚合物薄膜的制备 | 第45页 |
| ·量子点薄膜的制备 | 第45页 |
| ·有机层和金属电极的蒸镀 | 第45-46页 |
| ·结果与讨论 | 第46-49页 |
| ·CdSe量子点/有机复合发光器件的性质 | 第46-48页 |
| ·CdSe/CdS量子点/有机复合发光器件的性质 | 第48-49页 |
| ·本章小结 | 第49-50页 |
| 5. CdSe纳米晶标记牛血清白蛋白 | 第50-57页 |
| ·实验部分 | 第50-51页 |
| ·实验试剂和仪器 | 第50-51页 |
| ·实验过程 | 第51页 |
| ·结果与讨论 | 第51-56页 |
| ·CdSe纳米晶和牛血清白蛋白的光谱分析 | 第51-53页 |
| ·CdSe纳米晶标记牛血清白蛋白后的光谱分析 | 第53-55页 |
| ·牛血清白蛋白的不同加入量对光谱影响 | 第55-56页 |
| ·本章小结 | 第56-57页 |
| 6. 结论 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-61页 |
| 作者简历 | 第61-63页 |
| 学位论文数据集 | 第63页 |
