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几种反常弛豫的宽带隙半导体(110)表面电子结构的理论研究

中文摘要第1-5页
英文摘要第5-6页
第一章 绪论第6-16页
 1.1 对表面科学发展的简单回顾和展望第6-7页
 1.2 研究表面的意义和表面的特性描述第7-9页
  1.2.1 研究表面的意义第7-8页
  1.2.2 表面的一般特性描述第8-9页
 1.3 研究半导体表面电子结构的理论方法第9-10页
 1.4 本文的研究目的第10-14页
  1.4.1 闪锌矿结构的半导体(110)表面研究现状简介第10-11页
  1.4.2 本文的研究目的第11-14页
 第一章参考文献第14-16页
第二章 散射理论方法简介第16-24页
 2.1 基本公式第16-18页
 2.2 半导体体能带的描述第18-19页
 2.3 自由表面的产生第19-20页
 2.4 层轨道表象和表面投影技术第20-23页
 第二章参考文献第23-24页
第三章 BN和CuCl体能带描述第24-37页
 3.1 紧束缚近似的sp~3s~*模型第24-28页
 3.2 BN体能带描述及紧束缚参数第28-30页
 3.3 CuCl@体能带描述及紧束缚参数第30-36页
 第三章参考文献第36-37页
第四章 BN(110)表面电子结构的研究第37-48页
 4.1 引言第37-38页
 4.2 计算结果与讨论第38-46页
  4.2.1 表面投影带结构分析第38-41页
  4.2.2 表面电子态局域特性分析第41-46页
 4.3 结论第46-47页
 第四章参考文献第47-48页
第五章 CuCl(110)表面电子结构的研究第48-61页
 5.1 引言第48-49页
 5.2 计算结果与讨论第49-59页
  5.2.1 表面投影带结构分析第50-54页
  5.2.2 表面电子态局域特性分析第54-59页
 5.3 结论第59-60页
 第五章参考文献第60-61页
第六章 结论第61-63页
在攻读硕士学位期间发表的论文第63-64页
致谢第64页

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