| 中文摘要 | 第1-8页 |
| ABSTRACT | 第8-13页 |
| 前言 | 第13-15页 |
| 第一章 基本理论计算方法和ABINIT程序包简介 | 第15-26页 |
| ·Born-Oppenheimer绝热近似 | 第15-16页 |
| ·Hartree-Fock方法 | 第16-18页 |
| ·密度泛函理论 | 第18-22页 |
| ·Hohenberg-Kohn定理 | 第18-19页 |
| ·Kohn-Sham定理 | 第19-20页 |
| ·局域密度近似(LDA) | 第20-21页 |
| ·广义梯度近似(GGA) | 第21-22页 |
| ·平面波赝势法 | 第22-24页 |
| ·模守恒赝势 | 第23-24页 |
| ·ABINIT程序包简介 | 第24-26页 |
| 第二章 半导体CuXTe2(X=Ga,In)第一性原理研究 | 第26-37页 |
| 引言 | 第26页 |
| ·主要参数确定 | 第26-30页 |
| ·理论模型和计算方法 | 第30-31页 |
| ·计算结果与讨论 | 第31-36页 |
| ·小结 | 第36-37页 |
| 第三章 半导体ZnGa2X4(X=S,Se)第一性原理研究 | 第37-43页 |
| 引言 | 第37页 |
| ·理论模型和计算方法 | 第37-38页 |
| ·计算结果与讨论 | 第38-42页 |
| ·小结 | 第42-43页 |
| 总结与展望 | 第43-44页 |
| 参考文献 | 第44-47页 |
| 致谢 | 第47-48页 |
| 硕士期间发表的论文 | 第48-49页 |
| 个人简介 | 第49-50页 |