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磁场对耦合双量子盘中类氢杂质性质的影响

摘要第1-5页
Abstract第5-8页
绪论第8-9页
1 半导体超晶格的简介第9-19页
   ·半导体超晶格的发展第9-14页
     ·量子约束效应第9-10页
     ·共振隧穿效应第10-11页
     ·超晶格微带效应第11页
     ·声子约束效应第11-12页
     ·二维电子气效应第12-13页
     ·低维和小量子系统第13-14页
   ·半导体超晶格材料的应用第14-17页
     ·半导体器件的基础结构第14-15页
     ·主要的半导体器件的介绍第15-16页
     ·半导体工艺技术与技术发展趋势第16-17页
   ·本文的研究背景第17-19页
2 理论框架第19-25页
   ·无限势垒时的理论计算第19-22页
   ·有限势垒时的理论计算第22-25页
3 结果分析和讨论第25-37页
   ·与耦合双量子阱结果的比较第25-26页
   ·无限势垒时的计算结果与讨论第26-34页
   ·有限势垒时的计算结果与讨论第34-37页
结论第37-39页
参考文献第39-47页
附录第47-50页
后记第50-51页
硕士期间发表论文情况第51页

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