| 中文摘要 | 第1-5页 |
| 英文摘要 | 第5-7页 |
| 引言 | 第7-10页 |
| 参考文献 | 第9-10页 |
| 第一章 综述 | 第10-16页 |
| §1．1 SiC材料的结构与性质 | 第10-12页 |
| §1．2 扩散掺杂 | 第12-15页 |
| 参考文献 | 第15-16页 |
| 第二章 离子注入技术 | 第16-24页 |
| §2．1 离子注入技术概述 | 第16-17页 |
| §2．2 离子注入射程分布与Trim模拟 | 第17-20页 |
| §2．3 离子注入的损伤 | 第20-23页 |
| 参考文献 | 第23-24页 |
| 第三章 离子注入损伤及光学性质的测试原理 | 第24-36页 |
| §3．1 吸收光谱在半导体测试中的应用 | 第24-27页 |
| §3．2 半导体的拉曼散射 | 第27-32页 |
| §3．3 椭偏技术 | 第32-35页 |
| 参考文献 | 第35-36页 |
| 第四章 离子注入损伤及其光学性质的研究 | 第36-55页 |
| §4．1 样品制备 | 第36-38页 |
| §4．2 离子注入分布的扫描电子显微镜（SEM）分析 | 第38-39页 |
| §4．3 椭偏的测试结果与分析 | 第39-42页 |
| §4．4 激光拉曼的测量结果与分析 | 第42-46页 |
| §4．5 吸收光谱的测量结果与分析 | 第46-54页 |
| 参考文献 | 第54-55页 |
| 总结 | 第55-58页 |
| 致谢 | 第58页 |