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半导体量子点(nc-Si/SiO2)/SiO2的激子能级

中文摘要第1-4页
Abstract第4-7页
第一章 引言第7-12页
   ·半导体量子点第7-9页
   ·本文研究的内容及意义第9-12页
第二章 量子点(NC-SI/SIO_2)/ SIO_2激子能级第12-29页
   ·激子与激子效应第12-14页
   ·激子体系的薛定谔方程第14-16页
   ·无限深球型势阱激子基态能的计算第16-21页
     ·质心运动部分第16-18页
     ·相对运动部分第18-21页
   ·有限深球型势阱激子基态能的计算第21-25页
     ·质心运动部分第21-24页
     ·相对运动部分第24-25页
   ·结果与讨论第25-28页
   ·本章小结第28-29页
第三章 介电受限效应(表面极化效应)第29-35页
   ·量子点介电效应对激子能级的影响第30-31页
   ·结果与讨论第31-33页
   ·本章小结第33-35页
第四章 量子点形状对激子基态能的影响第35-39页
   ·不同量子点形状激子基态能级第35-37页
   ·结果与讨论第37-38页
   ·本章小结第38-39页
第五章 声子对量子点激子基态能的影响第39-47页
   ·不考虑声子相互作用的激子基态能第40-41页
   ·考虑声子相互作用的激子基态能第41-44页
   ·结果与讨论第44-46页
   ·本章小结第46-47页
第六章 总结第47-49页
参考文献第49-55页
硕士学习期间论文发表情况第55-56页
致谢语第56页

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