| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-6页 |
| 1 绪论 | 第6-16页 |
| ·低维半导体的发展及其应用 | 第6-12页 |
| ·低维半导体结构的发展 | 第6-8页 |
| ·低维半导体材料的制备技术及相关器件简介 | 第8-12页 |
| ·量子线的研究进展 | 第12-14页 |
| ·本文研究背景及主要研究工作 | 第14-16页 |
| 2 理论框架 | 第16-26页 |
| ·理论模型及微扰论简介 | 第16-18页 |
| ·垂直磁场下电子的能态 | 第18-20页 |
| ·垂直磁场下空穴的能态 | 第20-22页 |
| ·激子的束缚能 | 第22-26页 |
| 3 结果与讨论 | 第26-34页 |
| ·电子的能态 | 第26-27页 |
| ·空穴的能态 | 第27-29页 |
| ·激子的束缚能 | 第29-34页 |
| 4 结论 | 第34-35页 |
| 参考文献 | 第35-41页 |
| 致谢 | 第41页 |