| 1． 引言 | 第1-12页 |
| 2． X光电子能谱分析 | 第12-35页 |
| 2．1 基本原理 | 第12-17页 |
| 2．2 实验样品 | 第17-18页 |
| 2．3 硫钝化实验和测量仪器 | 第18-19页 |
| 2．4 结果与讨论 | 第19-35页 |
| 2．4．1 GaP单晶片 | 第19-24页 |
| 2．4．2 GaP单外延片 | 第24-29页 |
| 2．4．3 GaP双外延片 | 第29-35页 |
| 3． 表面形貌 | 第35-41页 |
| 4． 光致发光 | 第41-46页 |
| 4．1 实验装置 | 第41页 |
| 4．2 实验结果 | 第41-46页 |
| 5． 结语 | 第46-47页 |
| 6． 附录 | 第47-53页 |
| 6．1 GaP外延片钝化前后各元素原子数的百分比 | 第47-48页 |
| 6．2 GaP钝化过程的微观结构图 | 第48-50页 |
| 6．3 光致荧光谱16个峰的拟合值 | 第50-53页 |
| 7． 参考文献 | 第53-57页 |
| 致谢 | 第57页 |