| 英文摘要 | 第1-10页 |
| 论文摘要 | 第10-14页 |
| 第1章 涉及本课题的研究背景和理论基础简介 | 第14-38页 |
| §1．1 金属-半导体接触肖特基势垒 | 第15-18页 |
| §1．2 半导体异质结带阶 | 第18-24页 |
| §1．3 半导体应变层异质结中应变层的价带与带隙 | 第24-30页 |
| 1． 考虑自旋—轨道耦合（SO分裂）作用的价带 | 第24-26页 |
| 2． 应变状态下的价带、导带、带隙和带阶参数及其形变势 | 第26-30页 |
| §1．4 赝势能带计算方法 | 第30-35页 |
| 1． 经验赝势能带计算方法 | 第31-33页 |
| 2． 第一原理赝势能带计算方法 | 第33-35页 |
| 参考文献 | 第35-38页 |
| 第2章 自由电子能带模型、费米能级和平均键能 | 第38-54页 |
| §2．1 自由电子费米能级和平均键能的计算方法 | 第39-43页 |
| 1． 自由电子系统的费米能级E_F | 第39-40页 |
| 2． 自由电子能带模型的费米能级E_F~（ID） | 第40-43页 |
| 3． 自由电子能带模型中的平均键能E_（IN） | 第43页 |
| §2．2 费米能级E_F、E_F~（ID）和平均键能E_（IN）的计算结果 | 第43-48页 |
| §2．3 自由电子费米能级E_F、E_F~（ID）和平均键能E_（IN）的形变势研究 | 第48-51页 |
| §2．4 小结 | 第51-53页 |
| 参考文献 | 第53-54页 |
| 第3章 金属能带中的平均键能与费米能级 | 第54-66页 |
| §3．1 金属晶体的能带结构、费米能级E_F~（ID）和平均键能E_（IN） | 第54-58页 |
| §3．2 平均键能E_（IN）和费米能级E_F~（ID）随哈密顿矩阵阶数的变化关系 | 第58-60页 |
| §3．3 平均键能E_（IN）和费米能级E_F~（ID）随应变状态的变化关系 | 第60-63页 |
| §3．4 小结 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-66页 |
| 第4章 半导体中的平均键能、肖特基势垒和异质结带阶 | 第66-86页 |
| §4．1 半导体能带结构、带隙和带阶参数的计算 | 第66-68页 |
| §4．2 半导体能带中有关费米能级的几个问题 | 第68-72页 |
| §4．3 半导体能带中平均键能E_（IN）的有关行为 | 第72-78页 |
| 1． 平均键能随计算能带的哈密顿矩阵阶数的变化关系 | 第73-74页 |
| 2． 半导体能带中平均键能随应变状态的变化关系 | 第74-77页 |
| 3． 平均键能E_（IN）与费米能级E_F~（ID）、电中性能级E_B计算方法的比较 | 第77-78页 |
| §4．4 肖特基势垒高度和异质结带阶理论计算中的平均键能方法 | 第78-82页 |
| 1． 金属—半导体接触肖特基势垒高度的理论计算 | 第78-81页 |
| 2． 异质结价带带阶的理论计算 | 第81-82页 |
| §4．5 小结 | 第82-84页 |
| 参考文献 | 第84-86页 |
| 第5章 应变层异质结带阶理论计算中的平均键能方法 | 第86-105页 |
| §5．1 流体静压力应变或单轴应变时的平均键能E_（IN）和平均价带E_（v．av） | 第87-91页 |
| §5．2 双轴应力下平均价带、平均键能、带阶参数和它们的形变势 | 第91-93页 |
| §5．3 应变层异质结价带带阶ΔE_p的计算 | 第93-99页 |
| §5．4 应变层异质结导带带阶ΔE_c的计算 | 第99-102页 |
| §5．5 小结 | 第102-104页 |
| 参考文献 | 第104-105页 |
| 附录 | 第105-107页 |
| 致谢 | 第107页 |
