| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 序言 | 第7-20页 |
| ·半导体自旋电子学 | 第7-9页 |
| ·Rashba 自旋轨道耦合及其对自旋调控和自旋弛豫的影响 | 第9-15页 |
| ·GaN基宽禁带半导体基本性质及其在自旋电子学方面的研究现状 | 第15-19页 |
| ·本论文内容安排 | 第19-20页 |
| 第二章 Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结构中2DEG的圆偏振自旋光电效应 | 第20-29页 |
| ·圆偏振自旋光电效应(CPGE)的基本原理 | 第20-23页 |
| ·样品制备和实验装置 | 第23-25页 |
| ·实验结果及分析 | 第25-27页 |
| ·本章总结 | 第27-29页 |
| 第三章 Al_xGa_(1-x)N/GaN 异质结构中2DEG的BIA和SIA自旋轨道耦合 | 第29-41页 |
| ·应变对Al_xGa_(1-x)N/GaN异质界面极化电场的影响 | 第30-32页 |
| ·Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结构中2DEG 的BIA和SIA自旋轨道耦合的区分 | 第32-40页 |
| ·本章总结 | 第40-41页 |
| 第四章 Al_xGa_(1-x)N/GaN 异质结构中2DEG的反常CPGE和逆自旋霍尔效应 | 第41-58页 |
| ·自旋霍尔效应(SHE)和逆自旋霍尔效应(RSHE) | 第41-45页 |
| ·反常CPGE的实验观测 | 第45-48页 |
| ·反常CPGE和RSHE的关系 | 第48-56页 |
| ·本章总结 | 第56-58页 |
| 论文总结 | 第58-60页 |
| 参考文献 | 第60-63页 |
| 硕士期间发表的论文 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
