摘要 | 第1-7页 |
Abstract | 第7-11页 |
第一章 绪论 | 第11-17页 |
·低维半导体材料 | 第11-13页 |
·低维系统的拉曼散射 | 第13-16页 |
·本文研究工作概要 | 第16-17页 |
第二章 柱形量子点量子阱中的电子拉曼散射 | 第17-30页 |
·引言 | 第17页 |
·柱形量子点量子阱中的电子态 | 第17-20页 |
·微分散射截面 | 第20-25页 |
·结果与讨论 | 第25-29页 |
·本章小结 | 第29-30页 |
第三章 自由球量子点中的一阶声子拉曼散射 | 第30-41页 |
·引言 | 第30-31页 |
·系统的哈密顿量 | 第31-33页 |
·微分散射截面和选择定则 | 第33-37页 |
·计算结果与分析 | 第37-40页 |
·本章小结 | 第40-41页 |
第四章 有限深球量子点的声子拉曼散射 | 第41-53页 |
·引言 | 第41页 |
·电子-声子相互作用哈密顿 | 第41-43页 |
·微分散射截面 | 第43-46页 |
·计算结果与分析 | 第46-52页 |
·GaAs/AlAs量子点 | 第46-50页 |
·GsAs/Ga_(1-x)Al_xA_s量子点 | 第50-52页 |
·本章小结 | 第52-53页 |
第五章 总结 | 第53-55页 |
附录A 跃迁矩阵元的计算 | 第55-56页 |
§A.1 球量子点拉曼散射入射光场跃迁矩阵元 | 第55-56页 |
参考文献 | 第56-64页 |
在学期间发表的论文及完成的工作 | 第64-65页 |
致谢 | 第65页 |