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半导体量子点系统拉曼散射的理论研究

摘要第1-7页
Abstract第7-11页
第一章 绪论第11-17页
   ·低维半导体材料第11-13页
   ·低维系统的拉曼散射第13-16页
   ·本文研究工作概要第16-17页
第二章 柱形量子点量子阱中的电子拉曼散射第17-30页
   ·引言第17页
   ·柱形量子点量子阱中的电子态第17-20页
   ·微分散射截面第20-25页
   ·结果与讨论第25-29页
   ·本章小结第29-30页
第三章 自由球量子点中的一阶声子拉曼散射第30-41页
   ·引言第30-31页
   ·系统的哈密顿量第31-33页
   ·微分散射截面和选择定则第33-37页
   ·计算结果与分析第37-40页
   ·本章小结第40-41页
第四章 有限深球量子点的声子拉曼散射第41-53页
   ·引言第41页
   ·电子-声子相互作用哈密顿第41-43页
   ·微分散射截面第43-46页
   ·计算结果与分析第46-52页
     ·GaAs/AlAs量子点第46-50页
     ·GsAs/Ga_(1-x)Al_xA_s量子点第50-52页
   ·本章小结第52-53页
第五章 总结第53-55页
附录A 跃迁矩阵元的计算第55-56页
 §A.1 球量子点拉曼散射入射光场跃迁矩阵元的计算第55-56页
参考文献第56-64页
在学期间发表的论文及完成的工作第64-65页
致谢第65页

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