| 中文摘要 | 第1-5页 |
| 英文摘要 | 第5-10页 |
| 1 绪论 | 第10-25页 |
| ·自旋电子学 | 第10-11页 |
| ·稀磁半导体材料 | 第11-17页 |
| ·稀磁半导体概述 | 第11-12页 |
| ·稀磁半导体研究背景 | 第12-13页 |
| ·稀磁半导体与自旋相关的性质 | 第13-15页 |
| ·稀磁半导体的理论体系 | 第15-17页 |
| ·GaN 的基本特性 | 第17-19页 |
| ·晶体结构 | 第17-19页 |
| ·化学性质 | 第19页 |
| ·电学性质 | 第19页 |
| ·光学性质 | 第19页 |
| ·GaN 基稀磁半导体的研究进展 | 第19-23页 |
| ·GaN基稀磁半导体的理论研究 | 第19-21页 |
| ·GaN基稀磁半导体的实验研究 | 第21-23页 |
| ·本文的选题依据及主要研究工作 | 第23-25页 |
| 2 实验方法 | 第25-33页 |
| ·样品的制备 | 第25-27页 |
| ·粉体样品的制备 | 第25-26页 |
| ·薄膜材料的制备 | 第26-27页 |
| ·样品的表征手段 | 第27-32页 |
| ·X 射线衍射（XRD.） | 第27-28页 |
| ·扫描电子显微镜（SEM.） | 第28页 |
| ·X 射线光电子能谱（XPS..） | 第28-29页 |
| ·振动样品磁强计（VSM） | 第29-30页 |
| ·物理性能测量系统（PPMS.） | 第30页 |
| ·电阻率及霍耳效应测量（范德堡法..） | 第30-31页 |
| ·光致发光谱（PL） | 第31页 |
| ·傅里叶红外变换（FTIR.） | 第31-32页 |
| ·本章小结 | 第32-33页 |
| 3 GaMnN 粉体和薄膜的结构和磁性 | 第33-46页 |
| ·Sol-gel 制备的GaMnN 粉体样品性质研究 | 第33-40页 |
| ·制备方法 | 第33页 |
| ·结构分析 | 第33-34页 |
| ·形貌分析 | 第34-35页 |
| ·Mn的化学价态分析 | 第35-36页 |
| ·光学性质 | 第36-37页 |
| ·磁学性质 | 第37-40页 |
| ·固相反应法制备的粉体及磁控溅射制备的薄膜GaMnN 的性质研究 | 第40-44页 |
| ·结构分析 | 第40-41页 |
| ·形貌分析 | 第41页 |
| ·Mn的化学价态分析 | 第41-42页 |
| ·磁学性质 | 第42-43页 |
| ·薄膜样品的电学性质 | 第43-44页 |
| ·本章小结 | 第44-46页 |
| 4 GaFeN 薄膜和粉体的制备、结构与性能 | 第46-60页 |
| ·GaFeN 薄膜样品的制备及性质研究 | 第46-54页 |
| ·薄膜样品的制备 | 第46-47页 |
| ·结构和形貌分析 | 第47-48页 |
| ·Fe 的化学价态分析 | 第48-49页 |
| ·光学性质 | 第49-51页 |
| ·磁学性质 | 第51-52页 |
| ·电学性质 | 第52-54页 |
| ·铁磁性讨论 | 第54页 |
| ·粉末样品的制备及性质研究 | 第54-59页 |
| ·结构和形貌分析 | 第54-56页 |
| ·光学性质研究 | 第56-57页 |
| ·样品的磁学性能 | 第57-59页 |
| ·本章小结 | 第59-60页 |
| 结论 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 攻读学位期间取得的科研成果 | 第70页 |