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AlGaAs:Sn混晶中DX中心能级的精细结构

1. 引言第1-14页
2. 实验方法第14-25页
 2.1 实验样品与实验设备第14-15页
 2.2 Laplace缺陷谱(LDS)装置第15-16页
 2.3 实验原理第16-25页
  2.3.1 DX中心的动力学过程第16-18页
  2.3.2 DX中心热俘获系数和热发射系数的热力学描述第18-19页
  2.3.3 DX中心电子热俘获过程的定电容电压瞬态第19-20页
  2.3.4 DX中心电子热发射过程的定电容电压瞬态第20-21页
  2.3.5 混晶展宽模型第21-22页
  2.3.6 LDS方法第22-25页
3. 实验结果第25-38页
 3.1 DX中心电子热俘获定电容电压瞬态第25-28页
 3.2 电子热俘获LDS谱第28-30页
 3.3 电子热发射谱与热俘获谱之间的对应关系第30-35页
 3.4 DX中心电子热俘获势垒的精细结构第35-38页
4. DX中心微观结构的理论分析第38-47页
 4.1 DX~-和DX中心第38-39页
 4.2 DX~-和DX'中心的束缚能、晶格驰豫能和光离化能第39-43页
 4.3 两类类DX中心的起因——晶格驰豫第43-47页
5. 总结第47-48页
6. 附录第48-57页
 6.1 Laplace缺陷谱(LDS)方法的原理第48-51页
 6.2 LDS谱方法的特点第51-52页
 6.3 LDS方法对瞬态的要求及其可靠性第52-57页
7. 参考文献第57-62页
致谢第62页

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