| 中文摘要 | 第1-5页 |
| 英文摘要 | 第5-6页 |
| 前言 | 第6-9页 |
| 第一章： 掺金硅中杂质补偿行为与静态电荷转移机制的统计表述 | 第9-20页 |
| §1、 金掺杂浓度N_（Au）的计算 | 第9页 |
| §2、 统计方法计算不同温度下的E_F、N_AUD~+、N_AuA-、n_o、p_o和N_A~-）的数值N_A~-）的数值 | 第9-11页 |
| §3、 计算结果与分析讨论 | 第11-20页 |
| 第二章： 统计方法结合光伏方法对于硅中金杂质双重能级俘获—复合载流子物理过程的理论描述 | 第20-33页 |
| §1、 四个俘获截面б_n~o、б_p~-、б_p~o、б_n~+的测算 | 第20-28页 |
| §2、 硅中金的双重能级俘获—复合载流子过程的统计描述 | 第28-33页 |
| 第三章： 实验验证 | 第33-46页 |
| §1、 样品制备与实验装置 | 第33-36页 |
| §2、 过补偿掺金硅中金深能级俘获、发射载流子的统计规律的低温动态光伏波形验证 | 第36-41页 |
| §3、 欠补偿掺金样品的少子寿命实验值对统计理论值的验证 | 第41-46页 |
| 第四章： 分析讨论 | 第46-49页 |
| 参考文献 | 第49-52页 |
| [附录]本工作使用过的物理参量 | 第52-53页 |
| 致谢 | 第53页 |