| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 1 引言 | 第8-19页 |
| ·超导体的研究进展 | 第8-11页 |
| ·正常金属/超导体隧道结 | 第11-14页 |
| ·正常金属/超导体界面的Andreev 反射 | 第11-12页 |
| ·Josephson 效应 | 第12-14页 |
| ·噪声的研究进展 | 第14-17页 |
| ·本文的选题依据与主要研究工作 | 第17-19页 |
| 2 基本理论和方法 | 第19-26页 |
| ·Bogoliubov-de Gennes(BdG)方程与BTK 理论 | 第19-22页 |
| ·Landauer-Büttiker 公式的简单推导 | 第22-26页 |
| ·两端单通道器件电导系数的Landauer-Büttiker 公式 | 第23-24页 |
| ·两端多通道器件电导系数的Landauer-Büttiker 公式 | 第24-26页 |
| 3 正常金属/半导体/d 波超导结（N/SM/S）中的隧穿谱和散粒噪声 | 第26-37页 |
| ·模型和计算公式 | 第26-29页 |
| ·隧穿谱和散粒噪声随偏压的变化 | 第29-33页 |
| ·散粒噪声随偏压的变化 | 第29-30页 |
| ·微分电导随偏压的变化 | 第30-31页 |
| ·平均电流随偏压的变化 | 第31-32页 |
| ·散粒噪声功率随偏压的变化 | 第32页 |
| ·散粒噪声功率与电流的比值随偏压的变化 | 第32-33页 |
| ·隧穿谱和散粒噪声随半导体宽度的变化 | 第33-35页 |
| ·散粒噪声随半导体宽度的变化 | 第33-34页 |
| ·微分电导随半导体宽度的变化 | 第34页 |
| ·平均电流随半导体宽度的变化 | 第34-35页 |
| ·Rashba 自旋轨道耦合参数对隧穿谱和散粒噪声的影响 | 第35-36页 |
| ·本章小结 | 第36-37页 |
| 4 总结与展望 | 第37-40页 |
| 参考文献 | 第40-46页 |
| 致谢 | 第46-48页 |
| 硕士期间发表论文情况 | 第48页 |
