| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-27页 |
| ·硅基中远红外光电器件的研究背景和意义 | 第15-17页 |
| ·硅基中远红外光电器件的研究进展和存在的问题 | 第17-22页 |
| ·本文的工作及其组织结构 | 第22-24页 |
| 参考文献 | 第24-27页 |
| 第二章 应变Si/SiGe量子阱空穴能级和子带跃迁 | 第27-56页 |
| ·K·P方法计算应变Si/SiGe量子阱的能带结构 | 第27-35页 |
| ·理论方法 | 第27-32页 |
| ·能带计算参数 | 第32-33页 |
| ·Si/SiGe量子阱的空穴能级 | 第33-35页 |
| ·压应变SiGe合金空穴有效质量 | 第35-38页 |
| ·压应变Si/SiGe量子阱空穴子带跃迁与光吸收 | 第38-47页 |
| ·空穴子带跃迁矩阵元 | 第39-43页 |
| ·p型掺杂量子阱空穴态密度和费米能级 | 第43-45页 |
| ·空穴子带跃迁光吸收谱 | 第45-47页 |
| ·张应变Si/SiGe量子阱空穴子带跃迁特性 | 第47-52页 |
| ·张应变Si/SiGe量子阱空穴能级和有效质量 | 第47-50页 |
| ·p型掺杂张应变Si/SiGe量子阱空穴态密度和费米能级 | 第50-51页 |
| ·张应变Si/SiGe量子阱空穴子带光吸收谱 | 第51-52页 |
| ·本章小结 | 第52-54页 |
| 参考文献 | 第54-56页 |
| 第三章 Si/SiGe量子级联激光器的能带设计和波导优化 | 第56-78页 |
| ·Si/SiGe量子级联激光器的能带设计 | 第56-65页 |
| ·Si/SiGe量子级联激光器的工作原理 | 第56-58页 |
| ·Si/SiGe量子阱空穴子带的能量间距 | 第58-60页 |
| ·中红外Si/SiGe量子级联激光器的能带设计 | 第60-62页 |
| ·太赫兹Si/SiGe量子级联激光器的能带设计 | 第62-65页 |
| ·Si/SiGe量子级联激光器的增益系数 | 第65-68页 |
| ·太赫兹Si/SiGe量子级联激光器的波导和损耗 | 第68-75页 |
| ·太赫兹Si/SiGe量子级联激光器的波导结构 | 第69页 |
| ·Drude模型和波导材料介电常数 | 第69-72页 |
| ·太赫兹波导的限制因子和模式损耗 | 第72-75页 |
| ·本章小结 | 第75-76页 |
| 参考文献 | 第76-78页 |
| 第四章 B-QB模式Si/SiGe量子阱红外探测器优化设计 | 第78-106页 |
| ·压应变Si/SiGe量子阱红外探测器的能带设计 | 第78-84页 |
| ·张应变Si/SiGe量子阱红外探测器的能带设计 | 第84-89页 |
| ·正入射Si/SiGe量子阱红外探测器的品质因子 | 第89-100页 |
| ·光电流和光电导增益 | 第90-92页 |
| ·响应度和捕获概率 | 第92-94页 |
| ·量子效率 | 第94-97页 |
| ·暗电流 | 第97-98页 |
| ·暗电流噪声和探测灵敏度 | 第98-100页 |
| ·张应变Si/SiGe量子阱红外探测器的品质因子 | 第100-103页 |
| ·量子效率和响应谱 | 第100-101页 |
| ·暗电流和探测灵敏度 | 第101-103页 |
| ·本章小结 | 第103-104页 |
| 参考文献 | 第104-106页 |
| 第五章 正入射型Si/SiGe QWIP材料生长与器件研制 | 第106-134页 |
| ·Si/SiGe量子阱红外探测器材料生长的若干问题探讨 | 第106-116页 |
| ·UHV/CVD生长Si/SiGe异质结量子阱 | 第106-109页 |
| ·Si/SiGe材料系的P型原位掺杂 | 第109-111页 |
| ·一种计算Si/SiGe异质结外延生长速率和组分的方法 | 第111-114页 |
| ·Si/SiGe量子阱红外探测器的材料结构 | 第114-116页 |
| ·正入射Si/SiGe量子阱红外探测器制作关键工艺 | 第116-123页 |
| ·器件版图设计 | 第116-117页 |
| ·工艺流程 | 第117-121页 |
| ·器件暗电流特性 | 第121-123页 |
| ·正入射Si/SiGe量子阱红外探测器的红外吸收测试 | 第123-130页 |
| ·傅里叶变换红外光谱仪(FTIR) | 第123-124页 |
| ·p型衬底Si材料的红外光吸收 | 第124-126页 |
| ·自由载流子吸收 | 第126页 |
| ·不同温度下Si/SiGe量子阱红外探测器的红外光吸收谱 | 第126-130页 |
| ·本章小结 | 第130-132页 |
| 参考文献 | 第132-134页 |
| 第六章 全文总结和展望 | 第134-136页 |
| 获奖和论文发表情况 | 第136-137页 |
| 致谢 | 第137页 |
