| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-19页 |
| ·低维量子结构材料 | 第9-12页 |
| ·图形衬底上Ge岛生长的研究进展 | 第12-15页 |
| ·本论文的主要工作 | 第15-16页 |
| 参考文献 | 第16-19页 |
| 第二章 Si基Ge岛生长的理论研究 | 第19-27页 |
| ·平面衬底上多层Ge/Si岛生长机理研究 | 第19-21页 |
| ·图形衬底上Ge岛生长机理研究 | 第21-24页 |
| ·本章小结 | 第24页 |
| 参考文献 | 第24-27页 |
| 第三章 UHV/CVD系统在图形衬底上生长Ge/Si岛及其表征 | 第27-41页 |
| ·UHV/CVD系统及原子力显微镜简介 | 第28-29页 |
| ·图形衬底上Ge/Si岛的生长 | 第29-31页 |
| ·实验结果与讨论 | 第31-39页 |
| ·本章小结 | 第39页 |
| 参考文献 | 第39-41页 |
| 第四章 多层Ge/Si岛的生长及其表征 | 第41-52页 |
| ·表征方法简介 | 第41-44页 |
| ·多层Ge/Si岛的生长及表征结果 | 第44-50页 |
| ·本章小结 | 第50页 |
| 参考文献 | 第50-52页 |
| 第五章 结语 | 第52-54页 |
| 附录:论文发表情况 | 第54-55页 |
| 致谢 | 第55页 |