中文摘要 | 第1-7页 |
英文摘要 | 第7-15页 |
第一章 研究背景介绍 | 第15-96页 |
·自旋电子学简介 | 第15-18页 |
·第二类自旋电子学器件 | 第18-25页 |
·Datta-Das晶体管 | 第19-20页 |
·自旋MOSEFT | 第20-21页 |
·热电子自旋晶体管 | 第21-22页 |
·有机物自旋阀 | 第22页 |
·磁p-n结 | 第22页 |
·自旋二极管 | 第22-23页 |
·磁双极晶体管 | 第23-25页 |
·石墨烯晶体管 | 第25页 |
·自旋极化的产生 | 第25-38页 |
·输运方法注入 | 第26-29页 |
·自旋霍尔效应 | 第29-33页 |
·光学方法 | 第33-38页 |
·自旋极化的检测 | 第38-42页 |
·电学方法 | 第38-39页 |
·光学方法 | 第39-42页 |
·Ⅲ-Ⅴ族半导体能带结构简介 | 第42-49页 |
·两带哈密顿量 | 第42-43页 |
·有效哈密顿量与自旋轨道耦合 | 第43-45页 |
·二维受限半导体系统 | 第45-49页 |
·自旋弛豫和去相位 | 第49-76页 |
·Elliott-Yafet机制 | 第50-53页 |
·Bir-Aronov-Pikus机制 | 第53-59页 |
·D'yakonov-Perel'机制 | 第59-63页 |
·超精细相互作用机制 | 第63-64页 |
·自旋弛豫/去相位的研究进展与讨论 | 第64-76页 |
·动力学自旋Bloch方程方法 | 第76-84页 |
·四自旋子带模型 | 第81-83页 |
·自旋守恒散射导致的自旋弛豫/去相位 | 第83页 |
·两自旋子带模型 | 第83-84页 |
·局域场修正 | 第84-89页 |
·Singwi-Tosi-Land-Sj(?)lander局域场修正 | 第85-87页 |
·其他局域场修正计算 | 第87-89页 |
·介观物理 | 第89-96页 |
·Landauer-Büttiker公式 | 第90-92页 |
·电导的计算 | 第92-93页 |
·Aharonov-Bohm效应 | 第93页 |
·Anderson无序 | 第93-94页 |
·自旋过滤器 | 第94-96页 |
第二章 n型GaAs量子阱中的自旋弛豫 | 第96-109页 |
·自旋动力学方程 | 第96-98页 |
·与实验的比较 | 第98-99页 |
·自旋弛豫时间的温度依赖关系 | 第99-105页 |
·自旋弛豫时间对电场的依赖关系 | 第105-107页 |
·小结 | 第107-109页 |
第三章 本征和p型GaAs量子阱中由Bir-Aronov-Pikus机制引起的自旋弛豫 | 第109-118页 |
·理论模型 | 第110-112页 |
·数值计算结果与分析 | 第112-117页 |
·本征量子阱 | 第112-115页 |
·p型量子阱 | 第115-117页 |
·小结 | 第117-118页 |
第四章 高迁移率二维电子系统中自旋去相位对初始自旋极化的依赖关系 | 第118-128页 |
·理论计算 | 第119页 |
·实验简介 | 第119-120页 |
·样品 | 第120页 |
·测量与估算 | 第120页 |
·零场相干自旋振荡 | 第120-121页 |
·初始自旋极化对自旋弛豫和g因子的影响 | 第121-127页 |
·变化的激发强度 | 第121-123页 |
·固定的激发强度 | 第123-125页 |
·初始自旋极化对g因子的影响 | 第125-126页 |
·随温度的变化 | 第126-127页 |
·小结 | 第127-128页 |
第五章 低温下n型GaAs量子阱中Singwi-Tosi-Land-Sj(?)lander局域场修正对自旋弛豫的影响 | 第128-134页 |
·准二维局域场因子的计算 | 第128-131页 |
·LFC对自旋弛豫/去相位的影响 | 第131-133页 |
·小结 | 第133-134页 |
第六章 二维介观空穴系统中的自旋霍尔效应 | 第134-141页 |
·理论模型 | 第134-137页 |
·哈密顿量 | 第134-136页 |
·格林函数方法 | 第136页 |
·自旋霍尔系数 | 第136-137页 |
·结果与分析 | 第137-140页 |
·纯自旋流 | 第138-139页 |
·自旋霍尔效应的鲁棒性 | 第139-140页 |
·小结 | 第140-141页 |
第七章 三种自旋过滤器模型 | 第141-155页 |
·周期性磁场调制的自旋量子输运:Aharonov-Bohm环结构的自旋过滤器 | 第141-146页 |
·量子线双折结构的自旋过滤器 | 第146-148页 |
·空穴Aharonov-Bohm环结构的自旋过滤器 | 第148-154页 |
·小结 | 第154-155页 |
第八章 总结 | 第155-158页 |
附录A 电子-AC声子散射的计算方法 | 第158-161页 |
附录B BAP散射的计算方法 | 第161-162页 |
附录C 强Terahertz场引发的石墨烯中的赝自旋极化 | 第162-165页 |
C.1 理论模型 | 第162-163页 |
C.2 对称性分析 | 第163-164页 |
C.3 主要结果 | 第164-165页 |
参考文献 | 第165-179页 |
硕博连读期间发表的论文 | 第179-181页 |
致谢 | 第181页 |