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基于介观和多体层面的对于半导体自旋电子学中若干问题的研究

中文摘要第1-7页
英文摘要第7-15页
第一章 研究背景介绍第15-96页
   ·自旋电子学简介第15-18页
   ·第二类自旋电子学器件第18-25页
     ·Datta-Das晶体管第19-20页
     ·自旋MOSEFT第20-21页
     ·热电子自旋晶体管第21-22页
     ·有机物自旋阀第22页
     ·磁p-n结第22页
     ·自旋二极管第22-23页
     ·磁双极晶体管第23-25页
     ·石墨烯晶体管第25页
   ·自旋极化的产生第25-38页
     ·输运方法注入第26-29页
     ·自旋霍尔效应第29-33页
     ·光学方法第33-38页
   ·自旋极化的检测第38-42页
     ·电学方法第38-39页
     ·光学方法第39-42页
   ·Ⅲ-Ⅴ族半导体能带结构简介第42-49页
     ·两带哈密顿量第42-43页
     ·有效哈密顿量与自旋轨道耦合第43-45页
     ·二维受限半导体系统第45-49页
   ·自旋弛豫和去相位第49-76页
     ·Elliott-Yafet机制第50-53页
     ·Bir-Aronov-Pikus机制第53-59页
     ·D'yakonov-Perel'机制第59-63页
     ·超精细相互作用机制第63-64页
     ·自旋弛豫/去相位的研究进展与讨论第64-76页
   ·动力学自旋Bloch方程方法第76-84页
     ·四自旋子带模型第81-83页
     ·自旋守恒散射导致的自旋弛豫/去相位第83页
     ·两自旋子带模型第83-84页
   ·局域场修正第84-89页
     ·Singwi-Tosi-Land-Sj(?)lander局域场修正第85-87页
     ·其他局域场修正计算第87-89页
   ·介观物理第89-96页
     ·Landauer-Büttiker公式第90-92页
     ·电导的计算第92-93页
     ·Aharonov-Bohm效应第93页
     ·Anderson无序第93-94页
     ·自旋过滤器第94-96页
第二章 n型GaAs量子阱中的自旋弛豫第96-109页
   ·自旋动力学方程第96-98页
   ·与实验的比较第98-99页
   ·自旋弛豫时间的温度依赖关系第99-105页
   ·自旋弛豫时间对电场的依赖关系第105-107页
   ·小结第107-109页
第三章 本征和p型GaAs量子阱中由Bir-Aronov-Pikus机制引起的自旋弛豫第109-118页
   ·理论模型第110-112页
   ·数值计算结果与分析第112-117页
     ·本征量子阱第112-115页
     ·p型量子阱第115-117页
   ·小结第117-118页
第四章 高迁移率二维电子系统中自旋去相位对初始自旋极化的依赖关系第118-128页
   ·理论计算第119页
   ·实验简介第119-120页
     ·样品第120页
     ·测量与估算第120页
   ·零场相干自旋振荡第120-121页
   ·初始自旋极化对自旋弛豫和g因子的影响第121-127页
     ·变化的激发强度第121-123页
     ·固定的激发强度第123-125页
     ·初始自旋极化对g因子的影响第125-126页
     ·随温度的变化第126-127页
   ·小结第127-128页
第五章 低温下n型GaAs量子阱中Singwi-Tosi-Land-Sj(?)lander局域场修正对自旋弛豫的影响第128-134页
   ·准二维局域场因子的计算第128-131页
   ·LFC对自旋弛豫/去相位的影响第131-133页
   ·小结第133-134页
第六章 二维介观空穴系统中的自旋霍尔效应第134-141页
   ·理论模型第134-137页
     ·哈密顿量第134-136页
     ·格林函数方法第136页
     ·自旋霍尔系数第136-137页
   ·结果与分析第137-140页
     ·纯自旋流第138-139页
     ·自旋霍尔效应的鲁棒性第139-140页
   ·小结第140-141页
第七章 三种自旋过滤器模型第141-155页
   ·周期性磁场调制的自旋量子输运:Aharonov-Bohm环结构的自旋过滤器第141-146页
   ·量子线双折结构的自旋过滤器第146-148页
   ·空穴Aharonov-Bohm环结构的自旋过滤器第148-154页
   ·小结第154-155页
第八章 总结第155-158页
附录A 电子-AC声子散射的计算方法第158-161页
附录B BAP散射的计算方法第161-162页
附录C 强Terahertz场引发的石墨烯中的赝自旋极化第162-165页
 C.1 理论模型第162-163页
 C.2 对称性分析第163-164页
 C.3 主要结果第164-165页
参考文献第165-179页
硕博连读期间发表的论文第179-181页
致谢第181页

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