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磁场作用下抛物势量子线中负施主杂质离子体系的性质

摘要第1-4页
Abstract第4-8页
1 绪论第8-17页
   ·超晶格简介第8-11页
     ·半导体超晶格结构的提出第8-10页
     ·半导体超晶格结构研究的历史背景第10-11页
   ·量子阱和量子阱线第11-13页
     ·量子阱、量子阱线结构第11页
     ·超晶格量子阱中的一些物理效应第11-13页
   ·超晶格量子阱器件应用第13-14页
     ·量子阱激光器第13页
     ·光双稳器件第13页
     ·共振隧穿器件第13页
     ·高电子迁移率晶体管第13-14页
   ·本文研究背景第14-17页
2 有限差分法解能量本征方程第17-28页
   ·直角坐标系中能量本征方程差分格式的建立第17-20页
   ·算例第20-27页
     ·一维谐振子第20-22页
     ·二维各向同性谐振子第22-26页
     ·三维各向同性谐振子第26-27页
   ·小结第27-28页
3 理论框架第28-34页
   ·抛物势量子阱线中的一维有效势模型第28-30页
   ·磁场作用下抛物势量子阱线中D~-离子体系的研究第30-34页
     ·不考虑屏蔽效应的影响第30-32页
     ·考虑屏蔽效应的影响第32-34页
4 结果与讨论第34-49页
5 结论第49-50页
参考文献第50-55页
附录第55-58页
后记(含致谢)第58-59页
攻读学位期间取得的科研成果第59页

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