磁场作用下抛物势量子线中负施主杂质离子体系的性质
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 1 绪论 | 第8-17页 |
| ·超晶格简介 | 第8-11页 |
| ·半导体超晶格结构的提出 | 第8-10页 |
| ·半导体超晶格结构研究的历史背景 | 第10-11页 |
| ·量子阱和量子阱线 | 第11-13页 |
| ·量子阱、量子阱线结构 | 第11页 |
| ·超晶格量子阱中的一些物理效应 | 第11-13页 |
| ·超晶格量子阱器件应用 | 第13-14页 |
| ·量子阱激光器 | 第13页 |
| ·光双稳器件 | 第13页 |
| ·共振隧穿器件 | 第13页 |
| ·高电子迁移率晶体管 | 第13-14页 |
| ·本文研究背景 | 第14-17页 |
| 2 有限差分法解能量本征方程 | 第17-28页 |
| ·直角坐标系中能量本征方程差分格式的建立 | 第17-20页 |
| ·算例 | 第20-27页 |
| ·一维谐振子 | 第20-22页 |
| ·二维各向同性谐振子 | 第22-26页 |
| ·三维各向同性谐振子 | 第26-27页 |
| ·小结 | 第27-28页 |
| 3 理论框架 | 第28-34页 |
| ·抛物势量子阱线中的一维有效势模型 | 第28-30页 |
| ·磁场作用下抛物势量子阱线中D~-离子体系的研究 | 第30-34页 |
| ·不考虑屏蔽效应的影响 | 第30-32页 |
| ·考虑屏蔽效应的影响 | 第32-34页 |
| 4 结果与讨论 | 第34-49页 |
| 5 结论 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-55页 |
| 附录 | 第55-58页 |
| 后记(含致谢) | 第58-59页 |
| 攻读学位期间取得的科研成果 | 第59页 |