磁场作用下抛物势量子线中负施主杂质离子体系的性质
摘要 | 第1-4页 |
Abstract | 第4-8页 |
1 绪论 | 第8-17页 |
·超晶格简介 | 第8-11页 |
·半导体超晶格结构的提出 | 第8-10页 |
·半导体超晶格结构研究的历史背景 | 第10-11页 |
·量子阱和量子阱线 | 第11-13页 |
·量子阱、量子阱线结构 | 第11页 |
·超晶格量子阱中的一些物理效应 | 第11-13页 |
·超晶格量子阱器件应用 | 第13-14页 |
·量子阱激光器 | 第13页 |
·光双稳器件 | 第13页 |
·共振隧穿器件 | 第13页 |
·高电子迁移率晶体管 | 第13-14页 |
·本文研究背景 | 第14-17页 |
2 有限差分法解能量本征方程 | 第17-28页 |
·直角坐标系中能量本征方程差分格式的建立 | 第17-20页 |
·算例 | 第20-27页 |
·一维谐振子 | 第20-22页 |
·二维各向同性谐振子 | 第22-26页 |
·三维各向同性谐振子 | 第26-27页 |
·小结 | 第27-28页 |
3 理论框架 | 第28-34页 |
·抛物势量子阱线中的一维有效势模型 | 第28-30页 |
·磁场作用下抛物势量子阱线中D~-离子体系的研究 | 第30-34页 |
·不考虑屏蔽效应的影响 | 第30-32页 |
·考虑屏蔽效应的影响 | 第32-34页 |
4 结果与讨论 | 第34-49页 |
5 结论 | 第49-50页 |
参考文献 | 第50-55页 |
附录 | 第55-58页 |
后记(含致谢) | 第58-59页 |
攻读学位期间取得的科研成果 | 第59页 |