GaAs/AlGaAs多量子阱材料的辐照效应研究
| 1 引言 | 第1-8页 |
| 2 辐照效应基础 | 第8-17页 |
| 2．1 空间环境 | 第8页 |
| 2．2 电子静电加速器 | 第8-9页 |
| 2．3 电子与物质的相互作用 | 第9-12页 |
| 2．3．1 电子的能量损失 | 第9-11页 |
| 2．3．2 电子的散射 | 第11页 |
| 2．3．3 电子的射程 | 第11-12页 |
| 2．4 自由电子激光 | 第12-17页 |
| 2．4．1 特性 | 第12-14页 |
| 2．4．2 北京自由电子激光装置 | 第14-15页 |
| 2．4．3 在固体材料中的应用 | 第15-17页 |
| 3 半导体量子阱 | 第17-24页 |
| 3．1 定义及分类 | 第17-19页 |
| 3．1．1 组分量子阱 | 第17-18页 |
| 3．1．2 掺杂量子阱 | 第18-19页 |
| 3．2 电子态 | 第19-20页 |
| 3．3 激子态 | 第20-22页 |
| 3．4 光学性质 | 第22-24页 |
| 4 样品制备 | 第24-29页 |
| 4．1 分子束外延 | 第24-28页 |
| 4．1．1 定义与特点 | 第24页 |
| 4．1．2 外延原理 | 第24-25页 |
| 4．1．3 外延设备 | 第25-27页 |
| 4．1．4 生长机理 | 第27-28页 |
| 4．2 样品结构 | 第28-29页 |
| 5 光致发光测试 | 第29-35页 |
| 5．1 基本原理 | 第29-30页 |
| 5．2 实验方法 | 第30-31页 |
| 5．3 结果与讨论 | 第31-35页 |
| 5．3．1 电子辐照效应的室温光荧光谱 | 第31-33页 |
| 5．3．2 自由电子激光辐照效应的低温光荧光谱 | 第33-35页 |
| 6 OTCS测试 | 第35-40页 |
| 6．1 测试原理 | 第35-37页 |
| 6．2 测试技术 | 第37-38页 |
| 6．3 结果与讨论 | 第38-40页 |
| 7 结束语 | 第40-41页 |
| 参考文献 | 第41-42页 |
| 硕士期间发表的论文 | 第42-43页 |
| 致谢 | 第43页 |
