| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-11页 |
| 引言 | 第11-12页 |
| 第1章 宽带隙ZnO材料综述 | 第12-35页 |
| ·ZnO的晶体结构 | 第14页 |
| ·ZnO的物理特性 | 第14-17页 |
| ·ZnO薄膜的制备方法 | 第17-22页 |
| ·化学气相淀积技术 | 第17-18页 |
| ·分子束外延(MBE) | 第18页 |
| ·溅射(Sputtering) | 第18-19页 |
| ·脉冲激光沉积(PLD) | 第19-20页 |
| ·喷射热分解技术(Spray Pyrolysis) | 第20-21页 |
| ·溶胶-凝胶法(Sol-gel) | 第21-22页 |
| ·纳米材料和技术的概况 | 第22-23页 |
| ·纳米材料的概念 | 第22页 |
| ·纳米材料的基本物理效应 | 第22-23页 |
| ·ZnO纳米材料的制备 | 第23-27页 |
| ·ZnO的器件应用 | 第27-29页 |
| ·近来的ZnO的研究热点 | 第29-31页 |
| ·p型ZnO薄膜的研究 | 第29-30页 |
| ·ZnO纳米的研究 | 第30-31页 |
| 参考文献 | 第31-35页 |
| 第2章 热蒸发法生长ZnO、Li:ZnO和Al:ZnO纳米棒 | 第35-63页 |
| ·ZnO纳米线制备 | 第36-46页 |
| ·实验仪器 | 第36页 |
| ·衬底准备 | 第36页 |
| ·具体实验步骤 | 第36-37页 |
| ·ZnO纳米棒样品的表征 | 第37页 |
| ·结果和讨论 | 第37-46页 |
| ·ZnO∶Li纳米线 | 第46-52页 |
| ·实验仪器 | 第46-47页 |
| ·衬底准备 | 第47页 |
| ·具体实验步骤 | 第47-48页 |
| ·结果和讨论 | 第48-52页 |
| ·ZnO∶Al纳米线 | 第52-57页 |
| ·实验仪器 | 第52-53页 |
| ·衬底准备 | 第53页 |
| ·具体实验步骤 | 第53页 |
| ·结果分析 | 第53-57页 |
| ·本章小结 | 第57-61页 |
| 参考文献 | 第61-63页 |
| 第3章 PLD生长ZnO和ZnO∶Ag薄膜 | 第63-82页 |
| ·ZnO/p-Si薄膜 | 第65-70页 |
| ·ZnO/p-Si薄膜生长条件的优化 | 第66-68页 |
| ·ZnO/p-Si的异质结的研究 | 第68-70页 |
| ·ZnO/SiC薄膜 | 第70-73页 |
| ·常规XRD结果 | 第70-71页 |
| ·同步辐射掠入射X射线衍射和反射研究 | 第71-73页 |
| ·ZnO∶Ag/n-Si(111)薄膜 | 第73-77页 |
| ·讨论 | 第77页 |
| ·本章小结 | 第77-80页 |
| 参考文献 | 第80-82页 |
| 第4章 宽带隙SiC半导体材料综述 | 第82-92页 |
| ·SiC的结构和多型性 | 第84-85页 |
| ·SiC材料的制备 | 第85-89页 |
| ·薄膜生长 | 第85-88页 |
| ·晶体生长 | 第88-89页 |
| ·SiC器件研究 | 第89-91页 |
| 参考文献 | 第91-92页 |
| 第5章 脉冲激光淀积(PLD)制备SiC薄膜 | 第92-101页 |
| ·薄膜制备的工艺流程 | 第92-93页 |
| ·薄膜制备的表征与分析 | 第93-95页 |
| ·本章小结 | 第95-100页 |
| 参考文献 | 第100-101页 |
| 致谢 | 第101-102页 |
| 博士期间发表论文目录 | 第102页 |