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三维球量子点中D~-和D~0结合能的理论研究

摘要第1-6页
Abstract第6-7页
目录第7-9页
Contents第9-11页
第一章 简介第11-19页
 §1.1 引言第11-12页
 §1.2 量子点的制备第12-14页
  §1.2.1 自组装技术第12-13页
  §1.2.2 汽-液-固相(VLS)生长模式第13页
  §1.2.3 离子注入法第13-14页
 §1.3 半导体量子点的主要性质第14-15页
  §1.3.1 量子点的电子态第14页
  §1.3.2 库仑阻塞效应第14页
  §1.3.3 量子干涉特性第14页
  §1.3.4 量子点的热学稳定性第14-15页
 §1.4 半导体量子点的应用第15-17页
 §1.5 量子点的发展前景第17-18页
 参考文献第18-19页
第二章 量子点的理论研究方法第19-23页
 参考文献第22-23页
第三章 理论模型和方法第23-33页
 §3.1 引言第23-24页
 §3.2 谐振子乘积基展开法第24-26页
 §3.3 三体广义Tami系数计算第26-33页
第四章 高斯势下结合能第33-48页
 §4.1 引言第33-35页
 §4.2 理论公式推导第35-39页
 §4.3 数值结果和分析第39-45页
  §4.3.1 在两种势下的能量曲线图第39-41页
  §4.3.2 D~0的结合能第41-43页
  §4.3.3 D~-的结合能第43-45页
 §4.4 小结第45-46页
 参考文献第46-48页
第五章 总结第48-49页
攻读硕士学位期间发表的论文第49-50页
致谢第50页

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