| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-20页 |
| ·QWIP的工作机理与几种典型跃迁模式 | 第12-14页 |
| ·P型SiGe/Si QWIP的优势 | 第14页 |
| ·P型SiGe/Si QWIP研究进展 | 第14-16页 |
| ·本文的主要工作 | 第16-18页 |
| 参考文献 | 第18-20页 |
| 第二章 应变SiGe/Si量子阱价带能带结构计算与优化设计 | 第20-43页 |
| ·应变SiGe基本性质 | 第20-23页 |
| ·应变SiGe的带隙和能带结构 | 第20-22页 |
| ·SiGe/Si量子阱的能带结构 | 第22-23页 |
| ·SiGe合金中载流子的有效质量 | 第23页 |
| ·K·P方法计算应变SiGe量子阱能带结构 | 第23-29页 |
| ·能带计算理论 | 第24-28页 |
| ·有效质量计算理论 | 第28-29页 |
| ·应变SiGe量子阱价带能带计算与优化 | 第29-40页 |
| ·压应变SjGe/Si量子阱价带能级计算与优化 | 第30-36页 |
| ·张应变SiGe/Si量子阱价带能级计算与优化 | 第36-40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 参考文献 | 第41-43页 |
| 第三章 SiGe/Si多量子阱材料的生长与表征 | 第43-62页 |
| ·双生长室UHV/CVD设备简介 | 第43-45页 |
| ·DC-UHV/CVD系统的结构 | 第43-45页 |
| ·SiGe/Si外延工艺研究 | 第45-54页 |
| ·单层SiGe外延生长与表征 | 第45-48页 |
| ·锗硅外延原位硼掺杂 | 第48-51页 |
| ·P型δ掺杂SiGe/Si多量子阱生长 | 第51-53页 |
| ·P型SiGe/Si QWIP器件材料生长 | 第53-54页 |
| ·P型SiGe/SiQWIP器件材料红外吸收谱分析 | 第54-59页 |
| ·P型Si衬底的红外吸收谱 | 第55-56页 |
| ·P型SiGe/Si QWIP器件材料红外吸收谱分析 | 第56-59页 |
| ·本章小结 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-62页 |
| 第四章 正入射P型SiGe/Si QWIP制作与测试 | 第62-74页 |
| ·器件版图设计 | 第62-64页 |
| ·器件制备工艺流程 | 第64-71页 |
| ·基片清洗 | 第64-65页 |
| ·光刻 | 第65-67页 |
| ·等离子化学气相沉积(PECVD) | 第67-68页 |
| ·磁控溅射Al | 第68页 |
| ·干法刻蚀 | 第68-69页 |
| ·湿法化学腐蚀 | 第69-71页 |
| ·封装 | 第71页 |
| ·器件初测与分析 | 第71-73页 |
| ·I-V特性测试与分析 | 第71-73页 |
| ·光 电流谱测试与分析 | 第73页 |
| ·本章小结 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-75页 |
| 第五章 总结与展望 | 第75-76页 |
| 硕士期间发表的论文 | 第76-77页 |
| 致谢 | 第77页 |
