| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 1 绪论 | 第8-15页 |
| ·发展中的自旋电子 | 第8-10页 |
| ·半导体中的电子自旋驰豫 | 第10-12页 |
| ·自旋轨道耦合效应 | 第12-13页 |
| ·本文的主要研究工作 | 第13-15页 |
| 2 不同温度下n-GaAs 中导带电子的自旋驰豫时间 | 第15-24页 |
| ·引言 | 第15-16页 |
| ·Elliot-Yafet 和D’yakonov-Perel 自旋驰豫机制 | 第16-17页 |
| ·理论计算 | 第17-20页 |
| ·计算结果与分析 | 第20-22页 |
| ·小结 | 第22-24页 |
| 3 Dresselhaus 自旋轨道耦合效应下电子隧穿铁磁/半导体/铁磁异质结的渡越时间 | 第24-38页 |
| ·引言 | 第24-25页 |
| ·理论模型和计算公式 | 第25-29页 |
| ·计算结果与分析 | 第29-37页 |
| ·小结 | 第37-38页 |
| 4 结论与展望 | 第38-41页 |
| ·结论 | 第38-40页 |
| ·展望 | 第40-41页 |
| 参考文献 | 第41-50页 |
| 致谢 | 第50-51页 |
| 攻读学位期间取得的科研成果 | 第51页 |