| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 目录 | 第9-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-34页 |
| ·ZnO的晶体结构 | 第12-14页 |
| ·ZnO晶体的基本性质 | 第14-15页 |
| ·ZnO的电学性质和掺杂 | 第15-17页 |
| ·ZnO的光学性质 | 第17-21页 |
| ·ZnO的透射光谱 | 第17-18页 |
| ·ZnO的光致发光 | 第18-21页 |
| ·ZnO薄膜的制备 | 第21-26页 |
| ·ZnO薄膜的生长方法 | 第22-26页 |
| ·太阳能电池的发展概况以及ZnO薄膜在太阳能电池中的应用 | 第26-28页 |
| ·太阳能电池的分类及其发展 | 第26-28页 |
| ·ZnO薄膜在太阳能电池中的应用 | 第28页 |
| ·本论文的研究内容 | 第28-30页 |
| 参考文献 | 第30-34页 |
| 第二章 ZnO薄膜的制备和表征 | 第34-48页 |
| ·引言 | 第34-35页 |
| ·ZnO薄膜的制备及其基本表征手段 | 第35-38页 |
| ·薄膜的制备 | 第35-37页 |
| ·样品测试分析 | 第37-38页 |
| ·薄膜的表征和分析 | 第38-46页 |
| ·ZnO薄膜的结构表征 | 第38-40页 |
| ·ZnO薄膜表面形貌的表征 | 第40-41页 |
| ·光致发光的研究 | 第41-43页 |
| ·ZnO薄膜拉曼散射光谱 | 第43-46页 |
| 参考文献 | 第46-48页 |
| 第三章 ZnO/Si异质结光电转换特性及生长条件的优化 | 第48-78页 |
| ·引言 | 第48-49页 |
| ·ZnO的光电转换特性 | 第49-57页 |
| ·半导体的光电效应 | 第49-55页 |
| ·ZnO/Si异质结的光电转换特性 | 第55-57页 |
| ·生长温度对光电转换特性的影响 | 第57-62页 |
| ·氧含量对光电转换特性的影响 | 第62-66页 |
| ·氧含量对异质结光电转换特性的影响 | 第62-65页 |
| ·氧含量对薄膜透过率的影响 | 第65-66页 |
| ·生长时间对光电转换特性的影响 | 第66-74页 |
| ·样品的制备 | 第66-68页 |
| ·厚度对异质结I-V特性的影响 | 第68-69页 |
| ·厚度对异质结C-V特性的影响 | 第69-73页 |
| ·厚度对ZnO/Si异质结光电转换特性的影响 | 第73-74页 |
| ·本章小结 | 第74-76页 |
| 参考文献 | 第76-78页 |
| 第四章 ZnO/Si异质结的光电转换机理研究 | 第78-96页 |
| ·光响应谱的测量及其作用 | 第78-79页 |
| ·光谱响应的测量系统的建立和标定 | 第79-89页 |
| ·ZnO/Si异质结的光谱响应 | 第89-94页 |
| ·样品的制备和测量 | 第89页 |
| ·ZnO薄膜的光电导谱 | 第89-91页 |
| ·异质结的光电压响应谱 | 第91-94页 |
| ·本章小结 | 第94-95页 |
| 参考文献 | 第95-96页 |
| 第五章 退火处理对ZnO/Si异质结光电转换特性的影响 | 第96-109页 |
| ·引言 | 第96-97页 |
| ·退火与不退火样品的比较 | 第97-99页 |
| ·样品的制备 | 第97页 |
| ·退火对薄膜结构的影 | 第97-98页 |
| ·退火对异质结I-V特性的影响 | 第98-99页 |
| ·退火温度对ZnO/Si异质结性质的影响 | 第99-104页 |
| ·样品的制备和测量 | 第99页 |
| ·退火温度对ZnO/Si异质结光电转换的影响 | 第99-100页 |
| ·退火温度对异质结I-V特性的影响 | 第100-101页 |
| ·退火温度对ZnO薄膜晶体结构的影响 | 第101-102页 |
| ·退火温度对薄膜表面形貌的影响 | 第102-104页 |
| ·退火气氛对异质结光电转换特性的影响 | 第104-105页 |
| ·退火时间对异质结光电转换特性的影响 | 第105-106页 |
| ·本章小结 | 第106-108页 |
| 参考文献 | 第108-109页 |
| 第六章 总结和展望 | 第109-113页 |
| 致谢 | 第113-114页 |
| 硕博连读期间所发表的论文 | 第114页 |
