当前位置:
首页
--
数理科学和化学
--
物理学
--
半导体物理学
用导电原子力显微镜研究锗硅量子点和量子环的形貌和电学特性
有机半导体中载流子传输的蒙特卡罗模拟
磁性有机半导体颗粒膜的微结构、磁性和输运性质的研究
光导开关的理论分析及实验研究
稀磁半导体GaMnN的光学性质
半导体碲化锌及氮化铟非线性光学特性研究
6H-SiC的辐照效应研究
半绝缘InP的深能级缺陷、电学补偿及电学性质的研究
毫秒脉冲激光对金属和半导体材料热损伤的研究
AlGaN/GaN HEMT微波功率特性研究
无催化剂纳米ZnO的制备及其研究
Nickel/6H-SiC欧姆接触机理研究
高温退火后非掺杂磷化铟材料的电子辐照缺陷研究
ZnSe和ZnS弹性常数和相变的从头计算
InP的相变、能带结构及其光学性质的研究
纳微米级ZnO的制备和发光研究
Ge/Si半导体量子点应力应变分布研究
扫描隧道显微镜对半导体表面和单分子电子学的研究
Si表面Ge量子点的MBE外延生长及其结构表征
正电子对ZnO和GaN宽带隙半导体中缺陷的研究
AlxGa1-xN/GaN双量子阱中子带间跃迁的研究
半导体中载流子迁移的蒙特卡洛模拟
氮化物半导体量子点光电性质的研究与设计
若干低维结构和器件的第一原理研究与设计
半导体超晶格子带间光跃迁吸收理论研究
耦合量子点系统动力学性质的理论研究
超晶格中一些动力学及输运问题的理论研究
稀磁半导体Al1-xCrxN和Al1-xVxN的第一性原理研究
GaN基半导体异质结构中的应力相关效应
纳米线光学微腔与正方形光学微腔模式特性研究
纤锌矿GaN载流子输运的蒙特卡罗模拟
PPP及其烷氧基衍生物的能带结构研究
带负电荷的施主量子点的理论研究
硅基半导体中SiO2/Si界面行为的正电子湮没谱研究
硅基半导体中氧及缺陷行为的符合正电子湮没谱研究
介电量子阱线中的激子态
压力对GaAs-Ga1-xAlxAs对称双量子点中浅施主杂质性质的影响
无限深GaAs量子阱线中带电激子体系的变分计算
AlGaInN量子阱LED的研究
用Z-扫描实验方法测量CdSe半导体纳米颗粒的三阶非线性
可用于生物检测的荧光量子点的制备及其相转移方法的初步研究
自旋轨道耦合对半导体异质结量子线输运性质的影响
激光场作用下自旋轨道耦合量子线的电子输运性质
半导体—金属界面剂量增强效应的模拟研究
超辐射发光管出射光谱的理论计算和实验验证
Ⅱ-Ⅵ族半导体量子点的胶体制备法及其光学性质的研究
Mn掺杂ZnO纳米晶的光学和磁学性质研究
Fe基宽带隙Ⅱ-Ⅵ族稀磁半导体及FeSe异质结构的生长及特性研究
复合荧光CdSe量子点的制备、表征与光学性质研究
CaCu3Ti4O12陶瓷高介电常数产生机理的研究
上一页
[14]
[15]
[16]
[17]
[18]
下一页