| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-28页 |
| ·Ⅲ族氮化物(GaN基)半导体的基本性质 | 第10-16页 |
| ·GaN基半导体的能带结构 | 第10-11页 |
| ·GaN基异质结构中的极化效应 | 第11-16页 |
| ·GaN基多量子阱中的子带间跃迁 | 第16-24页 |
| ·光纤通信基础 | 第16-19页 |
| ·GaN基材料的电声子相互作用基础 | 第19-20页 |
| ·量子阱中子带间跃迁的物理图像 | 第20-21页 |
| ·GaN基量子阱中子带间跃迁的弛豫时间 | 第21-22页 |
| ·GaN基量子阱中子带间跃迁的优势 | 第22-24页 |
| ·Al_xGa_(1-x)N/GaN量子阱中子带间跃迁的研究现状和存在的问题 | 第24-26页 |
| ·本论文的主要工作 | 第26-28页 |
| 第二章 计算方法和计算模型 | 第28-40页 |
| ·薛定谔方程和泊松方程的自洽求解 | 第28-32页 |
| ·薛定谔方程 | 第28-30页 |
| ·泊松方程 | 第30-32页 |
| ·交换关联势 | 第32页 |
| ·极化场不连续 | 第32-35页 |
| ·薛定谔方程和泊松方程自洽求解的程序 | 第35-37页 |
| ·子带间跃迁光学吸收系数的计算 | 第37-38页 |
| ·计算模型 | 第38-39页 |
| 本章小结 | 第39-40页 |
| 第三章 极化场及Al_xGa_(1-x)N/GaN双量子阱结构参数对子带间跃迁的光学性质和电子分布的影响 | 第40-64页 |
| ·引言 | 第40-41页 |
| ·极化场的影响 | 第41-47页 |
| ·中间耦合势垒层中Al组份的影响 | 第47-53页 |
| ·中间耦合势垒层厚度的影响 | 第53-58页 |
| ·势垒层中掺杂浓度的影响 | 第58-62页 |
| 本章小结 | 第62-64页 |
| 第四章 极化场及Al_xGa_(1-x)N/GaN双量子阱结构参数对Anticrossing gap的影响 | 第64-77页 |
| ·引言 | 第64-65页 |
| ·Anticrossing和anticrossing gap | 第65-71页 |
| ·极化场不连续的影响 | 第71-72页 |
| ·中间耦合势垒层中Al组份的影响 | 第72-73页 |
| ·中间耦合势垒层厚度的影响 | 第73-74页 |
| ·对称双量子阱阱宽的影响 | 第74-75页 |
| 本章小结 | 第75-77页 |
| 第五章 三能级或四能级系统的非对称Al_xGa_(1-x)N/GaN双量子阱的设计 | 第77-89页 |
| ·引言 | 第77-78页 |
| ·三能级非对称双量子阱的设计 | 第78-85页 |
| ·四能级非对称双量子阱的设计 | 第85-87页 |
| 本章小结 | 第87-89页 |
| 第六章 全文总结 | 第89-91页 |
| 参考文献 | 第91-97页 |
| 攻读博士期间发表和投递的论文 | 第97-98页 |
| 致谢 | 第98页 |
