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稀磁半导体Al1-xCrxN和Al1-xVxN的第一性原理研究

第一章 绪论第1-26页
   ·稀磁半导体的起源第8-10页
   ·稀磁半导体的研究概况第10-19页
     ·稀磁半导体的研究历史第10-11页
     ·稀磁半导体的研究现状第11-19页
   ·稀磁半导体的磁性产生机制第19-21页
     ·Zener平均场模型第19-20页
     ·团簇模型第20-21页
   ·论文的选题目的、意义及主要内容第21-23页
     ·本论文的选题目的和意义第21-22页
     ·本论文的主要研究内容第22-23页
 参考文献第23-26页
第二章 计算方法第26-44页
   ·早期的单电子近似理论第26-28页
     ·绝热近似第26-27页
     ·Hartree-Fock近似第27-28页
   ·密度泛函理论第28-35页
     ·Hohenberg-Kohn定理第29-32页
     ·Kohn-Sham方程第32-33页
     ·局域密度近似(LDA)和局域自旋密度近似(LSDA)第33-34页
     ·广义梯度近似(GGA)第34-35页
   ·赝势平面波方法第35-38页
     ·模守恒赝势第36-37页
     ·超软赝势第37-38页
   ·Fe/Cr(001)超晶格的层间耦合和自旋极化第38-42页
     ·物理模型与计算参数第38-39页
     ·计算结果与讨论第39-42页
     ·结论第42页
   ·本章小结第42-43页
 参考文献第43-44页
第三章 Al_(1-x)R_xN(R=Cr,V)的电子结构和磁性研究第44-55页
   ·物理模型与计算方法第44-46页
     ·物理模型第44-46页
     ·计算方法第46页
   ·结果及讨论第46-53页
     ·结构优化第46-48页
     ·电子结构第48-52页
     ·磁矩分布第52-53页
   ·本章小结第53-54页
 参考文献第54-55页
第四章 Al_(1-x)R_xN(R=Cr,V)体系中R无序对其电磁性质和居里温度的影响第55-64页
   ·物理模型与计算方法第55-57页
     ·物理模型第55-56页
     ·计算方法第56-57页
   ·计算结果及分析第57-62页
     ·晶格常数优化第57页
     ·电磁性质第57-61页
     ·居里温度第61-62页
   ·本章小结第62-63页
 参考文献第63-64页
第五章 总结与展望第64-66页
攻读硕士期间的工作情况第66-67页
致谢第67页

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