首页--数理科学和化学论文--物理学论文--半导体物理学论文--半导体理论论文--半导体量子理论论文

无限深GaAs量子阱线中带电激子体系的变分计算

摘要第1-5页
Abstract第5-8页
第一章 绪论第8-12页
第二章 理论框架第12-18页
   ·无限深单量子阱线中重空穴激子体系的研究第12-14页
   ·无限深单量子阱线中带电激子体系的研究第14-18页
第三章 计算结果与讨论第18-22页
   ·计算结果第18-19页
   ·结果分析与讨论第19-22页
第四章 结论第22-28页
附录 A第28-29页
附录 B第29-31页
参考文献第31-34页
致谢第34页

论文共34页,点击 下载论文
上一篇:旋覆花素抑制血管内皮剥脱和高脂血症所致的血管炎性反应
下一篇:试论邓小平共同富裕思想及其当代价值