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半导体量子理论论文
无限深GaAs量子阱线中带电激子体系的变分计算
摘要
第1-5页
Abstract
第5-8页
第一章 绪论
第8-12页
第二章 理论框架
第12-18页
·无限深单量子阱线中重空穴激子体系的研究
第12-14页
·无限深单量子阱线中带电激子体系的研究
第14-18页
第三章 计算结果与讨论
第18-22页
·计算结果
第18-19页
·结果分析与讨论
第19-22页
第四章 结论
第22-28页
附录 A
第28-29页
附录 B
第29-31页
参考文献
第31-34页
致谢
第34页
论文共
34
页,
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